[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法在審
| 申請號: | 201310706174.5 | 申請日: | 2013-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN104733637A | 公開(公告)日: | 2015-06-24 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;黃輝;陳吉星;王平 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
| 地址: | 518100 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及有機電發光領域,特別涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。
背景技術
1987年,美國Eastman?Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke報道了有機電致發光研究中的突破性進展。利用超薄薄膜技術制備出了高亮度、高效率的雙層有機電致發光器件(OLED)。10V下亮度達到1000cd/m2,其發光效率為1.51lm/W、壽命大于100小時。
在傳統的發光器件中,電子傳輸速率都要比空穴傳輸速率低兩三個數量級,因此,極易造成激子復合幾率的低下,并且使其復合的區域不在發光區域,從而使發光效率降低。
發明內容
鑒于此,有必要提供一種發光效率較高的有機電致發光器件及其制備方法。
一種有機電致發光器件,包括依次層疊于基板上的陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極層,所述電子注入層包括依次層疊于所述電子傳輸層上的阻擋層、富勒烯摻雜層及二氧化鈦摻雜層,所述陰極層層疊于所述二氧化鈦摻雜層上,所述阻擋層的材料為2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-對苯二醌二甲烷、4,4,4-三(萘基-1-苯基-銨)三苯胺或二萘基-N,N'-二苯基-4,4'-聯苯二胺,所述富勒烯摻雜層的材料包括富勒烯衍生物及摻雜于所述富勒烯衍生物中的噻吩化合物,所述二氧化鈦摻雜層的材料包括金屬及摻雜于所述金屬中的二氧化鈦,所述金屬的功函數為-4.0eV~-5.5eV。
在其中一個實施例中,所述富勒烯摻雜層的材料中所述噻吩化合物與所述富勒烯衍生物的質量比為1:10~1:15。
在其中一個實施例中,所述富勒烯衍生物為足球烯、碳70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯或[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯;所述噻吩化合物為3-甲基噻吩、3-甲基噻吩、3-辛基噻吩或3-十二烷基噻吩。
在其中一個實施例中,所述二氧化鈦摻雜層的材料中所述二氧化鈦與所述金屬的質量比為0.05:1~0.1:1。
在其中一個實施例中,所述金屬為銀、鋁、鉑或金。
在其中一個實施例中,所述二氧化鈦的粒徑為20納米~50納米。
在其中一個實施例中,所述阻擋層的厚度為1納米~8納米;所述富勒烯摻雜層的厚度為20納米~50納米;所述二氧化鈦摻雜層的厚度為50納米~80納米。
在其中一個實施例中,所述基板為玻璃;
所述陽極層的材料為銦錫氧化物薄膜、摻鋁的氧化鋅薄膜或摻銦的氧化鋅薄膜,所述陽極層的厚度為50納米~300納米;
所述空穴注入層的材料為三氧化鉬、三氧化鎢、或五氧化二釩,所述空穴注入層的厚度為20納米~80納米;
所述空穴傳輸層的材料為1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N'-(1-萘基)-N,N'-二苯基-4,4'-聯苯二胺,所述空穴傳輸層的厚度為20納米~60納米;
所述發光層的材料為4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯或8-羥基喹啉鋁,所述發光層的厚度為5納米~40納米;
所述電子傳輸層的材料為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑,所述電子傳輸層的厚度為40納米~250納米;
所述陰極層的材料為銀、鋁、鉑或金,所述陰極層的厚度為80納米~250納米。
一種有機電致發光器件的制備方法,包括如下步驟:
提供基板,在所述基板上磁控濺射制備陽極層;
在所述陽極層上真空蒸鍍制備空穴注入層;
在所述空穴注入層上真空蒸鍍制備空穴傳輸層;
在所述空穴傳輸層上真空蒸鍍制備發光層;
在所述發光層上真空蒸鍍制備電子傳輸層;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





