[發(fā)明專利]一種負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻芯片、熱敏電阻以及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310706096.9
• 申請日: 2013-12-19
• 公開（公告）號: CN103664141A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 包漢青;黃飛;王軍;袁仲寧
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳順絡(luò)電子股份有限公司
• 主分類號: C04B35/01
• 分類號: C04B35/01;C04B35/622
• 代理公司: 深圳新創(chuàng)友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223
• 代理人: 余敏

【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及熱敏電阻元件，特別是涉及一種負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻芯片、熱敏電阻以及其制備方法。

【背景技術(shù)】

通常，負(fù)溫度系數(shù)（Negative?Temperature?Coefficient，簡稱NTC）的熱敏電阻芯片一般是由過渡金屬氧化物粉末燒結(jié)而成。現(xiàn)有的過渡金屬氧化物粉末的組分和含量有較多體系，較多配方。而熱敏電阻的材料特性常數(shù)B值即是受金屬氧化物粉末配方影響的，同時(shí)也與熱敏電阻的電阻率有關(guān)，電阻率越大，B值越高。現(xiàn)有的粉末配方，例如常見的三元系（Mn-Co-Ni系），四元系（Mn-Co-Ni-M，其中M＝Cu、Fe、Si、Pb、Zn等），其制備的熱敏電阻的材料特性常數(shù)B值較低。以行業(yè)中較為常見的0402尺寸片式負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻為例，低電阻值下的產(chǎn)品的B值均較低，例如25℃下標(biāo)稱電阻值為10K歐的產(chǎn)品，其B值在3380左右；25℃下標(biāo)稱電阻值為100K歐的產(chǎn)品，其B值在3950左右；25℃下標(biāo)稱電阻值為500K歐的產(chǎn)品，其B值在4300左右。當(dāng)熱敏電阻的B值較低時(shí)，其應(yīng)用于較高溫度下，熱敏電阻的敏感程度會(huì)降低，從而較低的B值限制了產(chǎn)品在較高溫度下的使用。

【發(fā)明內(nèi)容】

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：彌補(bǔ)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出一種負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻芯片、熱敏電阻以及其制備方法，得到的低電阻值下的熱敏電阻的B值均較高。

本發(fā)明的技術(shù)問題通過以下的技術(shù)方案予以解決：

一種負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻芯片，由過渡金屬氧化物粉末燒結(jié)而成，所述過渡金屬氧化物粉末包括如下含量的組分：按摩爾百分比計(jì)算，30%～70%的四氧化三鈷Co₃O₄，20%～60%的二氧化錳MnO₂，大于0小于等于5%的三氧化二釔Y₂O₃，5%～20%的三氧化二鉻Cr₂O₃或二氧化鈦TiO₂，各組分的含量之和為100%。

一種負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻芯片，由過渡金屬氧化物粉末燒結(jié)而成，所述過渡金屬氧化物粉末包括如下含量的組分：按摩爾百分比計(jì)算，40%～60%的四氧化三鈷Co₃O₄，30%～50%的二氧化錳MnO₂，大于0小于等于5%的三氧化二釔Y₂O₃，5%～15%的三氧化二鉻Cr₂O₃，以及5%～10%的二氧化鈦TiO₂，各組分的含量之和為100%。

一種負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻芯片的制備方法，包括以下步驟：（1）混合過渡金屬氧化物制得金屬氧化物粉末，所述過渡金屬氧化物粉末的組分以及含量為上述的過渡金屬氧化物粉末；（2）將所述金屬氧化物粉末燒結(jié)成所述熱敏電阻芯片。

一種負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻，包括負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻芯片，玻璃保護(hù)層和電極，所述玻璃保護(hù)層環(huán)繞所述負(fù)溫度系數(shù)熱電阻芯片四周設(shè)置，所述電極設(shè)置在所述負(fù)溫度系數(shù)熱電阻芯片的兩端；所述負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻芯片為上述的熱敏電阻芯片。

一種負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：制備如上所述的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻芯片；在所述負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻芯片的除兩端外的四周環(huán)繞一層含有玻璃粉的漿料，燒結(jié)所述玻璃粉漿料，制成玻璃保護(hù)層；在環(huán)繞有所述玻璃保護(hù)層的熱敏電阻芯片的兩端涂覆一層電極漿料，燒結(jié)所述電極漿料，制得所述熱敏電阻。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)對比的有益效果是：

本發(fā)明的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻芯片、熱敏電阻以及其制備方法，制備熱敏電阻芯片的過渡金屬氧化物粉末的配方由四氧化三鈷Co₃O₄，二氧化錳MnO₂，三氧化二釔Y₂O₃，三氧化二鉻Cr₂O₃和/或二氧化鈦TiO₂按照特定的含量組成，得到一種具有新尖晶石相結(jié)構(gòu)的金屬氧化物，激活能量較低，從而使得到的熱敏電阻的B值較高。根據(jù)實(shí)驗(yàn)測試結(jié)果，上述配方下的金屬氧化物制得的熱敏電阻，以0402尺寸片式負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻為例，低阻值（10K～500K）的電阻的B值均可達(dá)到較高，25℃下標(biāo)稱電阻值為10K歐、100K歐、500K歐的產(chǎn)品，其B值可以達(dá)到4100、4500、4800。

【附圖說明】