[發明專利]一種負溫度系數熱敏電阻芯片、熱敏電阻以及其制備方法

有效

• 申請號: 201310706096.9
• 申請日: 2013-12-19
• 公開（公告）號: CN103664141A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 包漢青;黃飛;王軍;袁仲寧
• 申請（專利權）人: 深圳順絡電子股份有限公司
• 主分類號: C04B35/01
• 分類號: C04B35/01;C04B35/622
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 余敏

1.一種負溫度系數熱敏電阻芯片，由過渡金屬氧化物粉末燒結而成，其特征在于：所述過渡金屬氧化物粉末包括如下含量的組分：按摩爾百分比計算，30%～70%的四氧化三鈷Co₃O₄，20%～60%的二氧化錳MnO₂，大于0小于等于5%的三氧化二釔Y₂O₃，5%～20%的三氧化二鉻Cr₂O₃或二氧化鈦TiO₂，各組分的含量之和為100%。

2.一種負溫度系數熱敏電阻芯片，由過渡金屬氧化物粉末燒結而成，其特征在于：所述過渡金屬氧化物粉末包括如下含量的組分：按摩爾百分比計算，40%～60%的四氧化三鈷Co₃O₄，30%～50%的二氧化錳MnO₂，大于0小于等于5%的三氧化二釔Y₂O₃，5%～15%的三氧化二鉻Cr₂O₃，以及5%～10%的二氧化鈦TiO₂，各組分的含量之和為100%。

3.一種負溫度系數熱敏電阻芯片的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：（1）混合過渡金屬氧化物制得金屬氧化物粉末，所述過渡金屬氧化物粉末的組分以及含量為權利要求1或者2中所述的過渡金屬氧化物粉末；（2）將所述金屬氧化物粉末燒結成所述熱敏電阻芯片。

4.根據權利要求3所述的負溫度系數熱敏電阻芯片的制備方法，其特征在于：所述步驟（2）中燒結的溫度為1200℃～1270℃，保持所述燒結溫度的時間在3～9小時。

5.根據權利要求3所述的負溫度系數熱敏電阻芯片的制備方法，其特征在于：所述步驟（2）具體包括如下步驟：將所述金屬氧化物粉末與有機溶劑、粘合劑按照質量百分比為1：（1.0～1.4）：（0.1～0.3）混合制成漿料；將所述漿料通過流延工藝制備成生膜片，將多層所述生膜片壓疊在一起制成生胚片，將所述生胚片燒結制成所述熱敏電阻芯片。

6.根據權利要求5所述的負溫度系數熱敏電阻芯片的制備方法，其特征在于：所述有機溶劑為醋酸丙酯和乙醇按質量百分比（0.5～1.5）：（1.5～2.5）混合后得到的混合物。

7.根據權利要求5所述的負溫度系數熱敏電阻芯片的制備方法，其特征在于：所述粘合劑為聚乙烯醇縮丁醛。

8.一種負溫度系數熱敏電阻，包括負溫度系數熱敏電阻芯片，玻璃保護層和電極，所述玻璃保護層環繞所述負溫度系數熱電阻芯片四周設置，所述電極設置在所述負溫度系數熱電阻芯片的兩端；其特征在于：所述負溫度系數熱敏電阻芯片為權利要求1或者2所述的熱敏電阻芯片。

9.一種負溫度系數熱敏電阻的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：制備如權利要求1或者2所述的負溫度系數熱敏電阻芯片；在所述負溫度系數熱敏電阻芯片的除兩端外的四周環繞一層含有玻璃粉的漿料，燒結所述玻璃粉漿料，制成玻璃保護層；在環繞有所述玻璃保護層的熱敏電阻芯片的兩端涂覆一層電極漿料，燒結所述電極漿料，制得所述熱敏電阻。