[發明專利]高密度互連器件及方法

在審

• 申請號: 201310705286.9
• 申請日: 2013-12-19
• 公開（公告）號: CN103887289A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: M·K·洛伊;M·J·曼努沙洛
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/538;H01L21/98;H01L21/60
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張東梅

1.一種系統，包括：

第一管芯，具有第一管芯邊緣和第一管芯表面，所述第一管芯包括：

在所述第一管芯表面上與所述第一管芯邊緣相鄰定位的第一管芯高密度互連，所述第一管芯高密度互連具有第一凸點間距；以及

定位在所述第一管芯表面上的第一管芯連接區域，所述第一管芯連接區域具有第二凸點間距；以及

第二管芯，具有第二管芯邊緣和第二管芯表面，所述第二管芯包括：

在所述第二管芯表面上與所述第二管芯邊緣相鄰定位的第二管芯高密度互連，所述第二管芯高密度互連具有所述第一凸點間距；以及

定位在所述第二管芯表面上的第二管芯連接區域，所述第二管芯連接區域具有第三凸點間距；以及

橋，所述橋具有多個高密度互連，所述多個高密度互連具有所述第一凸點間距，所述多個高密度互連之一連接到所述第一管芯高密度互連，且所述多個高密度互連中的另一個連接到所述第二管芯高密度互連。

2.如權利要求1所述的系統，其特征在于，所述第一管芯連接區域包括輸入/輸出連接。

3.如權利要求2所述的系統，其特征在于，所述第一管芯連接區域定位在所述第一管芯表面上與所述第一管芯的第二邊緣相鄰。

4.如權利要求3所述的系統，其特征在于，所述第一管芯還包括定位在所述第一管芯表面中心的功率連接區域。

5.如權利要求1、2、3或4所述的系統，其特征在于，所述第二管芯連接區域包括功率連接。

6.如權利要求1、2、3或4所述的系統，其特征在于，所述第一凸點間距小于所述第二凸點間距，且所述第一凸點間距小于所述第三凸點間距。

7.如權利要求1、2、3或4所述的系統，其特征在于，所述第二凸點間距與所述第三凸點間距大致相等。

8.如權利要求1、2、3或4所述的系統，其特征在于，所述第一管芯是片上系統（SOC）管芯，且所述第二管芯是存儲器管芯。

9.一種微電子管芯，包括：

在第一表面上與第一邊緣相鄰定位的高密度互連，所述高密度互連具有第一凸點間距；

在所述第一表面上與第二邊緣相鄰定位的連接區域，所述連接區域具有第二凸點間距；以及

其中設計所述第一凸點間距的尺寸以連接到互連橋，且其中設計所述第二凸點間距的尺寸以適應所述管芯至電路板的直接芯片附連（DCA）。

10.如權利要求9所述的管芯，還包括定位在所述第一表面上、所述高密度互連和所述連接區域內部的功率連接區域。

11.如權利要求9所述的管芯，其特征在于，所述連接區域包括功率連接。

12.如權利要求9、10或11所述的管芯，其特征在于，所述連接區域包括輸入/輸出連接。

13.如權利要求9、10或11所述的管芯，其特征在于，所述管芯是片上系統（SOC）管芯。

14.如權利要求9、10或11所述的管芯，其特征在于，所述管芯是存儲器管芯。

15.如權利要求9、10或11所述的管芯，其特征在于，所述第一凸點間距小于所述第二凸點間距。

16.一種方法，包括：

提供具有多個高密度互連的互連橋，所述多個高密度互連具有第一凸點間距；

提供第一管芯，所述第一管芯具有第一管芯高密度互連且具有第一管芯連接區域，所述第一管芯高密度互連具有所述第一凸點間距且與第一管芯邊緣相鄰定位，所述第一管芯連接區域具有第二凸點間距，所述第二凸點間距大于所述第一凸點間距；

提供第二管芯，所述第二管芯具有第二管芯高密度互連且具有第二管芯連接區域，所述第二管芯高密度互連具有所述第一凸點間距且與第二管芯邊緣相鄰定位，所述第二管芯連接區域具有第三凸點間距，所述第三凸點間距大于所述第一凸點間距；

通過將所述互連橋的高密度互連之一連接到所述第一管芯高密度互連并且將所述互連橋的高密度互連中的另一個連接到所述第二管芯高密度互連，來將所述第一管芯和所述第二管芯互連；以及

通過將所述第一管芯連接區域連接到電路板并且將所述第二管芯連接區域連接到所述電路板，來將經互連的第一管芯和第二管芯連接到所述電路板。