[發明專利]LED芯片制作方法

無效

• 申請號: 201310703714.4
• 申請日: 2013-12-19
• 公開（公告）號: CN103633205A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 李忠武;魏天使;何金霞
• 申請（專利權）人: 聚燦光電科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/14;H01L21/027
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

技術領域

本發明涉及半導體發光器件技術領域，特別是涉及一種LED芯片制作方法。

背景技術

發光二極管（Light-Emitting?Diode，LED）是一種能發光的半導體電子元件。這種電子元件早在1962年出現，早期只能發出低光度的紅光，之后發展出其他單色光的版本，時至今日能發出的光已遍及可見光、紅外線及紫外線，光度也提高到相當的光度。而用途也由初時作為指示燈、顯示板等；隨著技術的不斷進步，發光二極管已被廣泛的應用于顯示器、電視機采光裝飾和照明。

現有LED芯片制作方法通常包括五道光刻、四道光刻或三道光刻，制程較為繁瑣，成本高。

五道光刻：包含CBL電流阻擋層，通常流程為：

1、MESA光刻：P/N臺階ICP刻蝕至N-GaN表面；

2、CBL光刻：P電極下方SiO₂電流阻擋層；

3、TCL光刻：ITO透明導電層；

4、PAD光刻：P/N電極蒸發，剝離光刻膠層；

5、window光刻：SiO₂保護層。

四道光刻：Window光刻SiO₂保護層和PAD光刻P/N電極合成一道光刻，通常流程為：

1、MESA光刻：P/N臺階ICP刻蝕至N-GaN表面；

2、CBL光刻：P電極下方SiO₂電流阻擋層；

3、TCL光刻：ITO透明導電層；

4、PAD光刻：SiO₂保護層和P/N電極蒸發，剝離光刻膠層。

三道光刻：小尺寸芯片無CBL電流阻擋層，通常流程為：

1、MESA光刻：P/N臺階ICP刻蝕至N-GaN表面；

2、TCL光刻：ITO透明導電層；

3、PAD光刻：SiO₂保護層和P/N電極蒸發，剝離光刻膠層。

現有技術上LED芯片制作流程復雜，且光刻道數多，制程反復經過同一站點（如勻膠、光刻、顯影、去膠等等），容易出現錯誤；并且會出現光刻步驟間的對位精度問題，工序多導致產品成本大；ITO與MESA間需要預留安全區域約4-5um，致使ITO有效面積變小，亮度偏低。

因此，針對上述技術問題，有必要提供一種新的LED芯片制作方法。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提供一種LED芯片制作方法，壓縮MESA和TCL光刻工藝為一道光刻工藝，即MESA光刻工藝，故不存在TCL光刻套刻MESA圖形出現的對位偏差問題，實現自對準功能。

為了實現上述目的，本發明實施例提供的技術方案如下：

一種LED芯片制作方法，所述方法包括以下步驟：

S1、提供一襯底，依次在襯底上制作N型半導體層、發光層和P型半導體層，形成LED晶圓；

S2、在LED晶圓上沉積ITO透明導電層；

S3、使用光刻膠對ITO透明導電層進行MESA光刻，在光刻膠層上形成MESA圖層；

S4、以MESA圖層為掩模對ITO透明導電層進行ITO刻蝕；

S5、以MESA圖層為掩模對LED晶圓進行ICP刻蝕，形成N型半導體臺面；

S6、去除MESA光刻后的光刻膠，露出下方的ITO透明導電層；

S7、在ITO透明導電層和N型半導體臺面上沉積鈍化層；

S8、使用光刻膠對鈍化層進行PAD光刻，在光刻膠層上形成PAD圖層；

S9、對PAD圖層進行鈍化層刻蝕，去除PAD圖層區域的鈍化層；

S10、在刻蝕掉的鈍化層上制作P電極和N電極；

S11、去除PAD光刻后的光刻膠。

作為本發明的進一步改進，所述步驟S2前還包括：

S01、在LED晶圓上沉積電流阻擋層；

S02、使用光刻膠對電流阻擋層進行CBL光刻，在光刻膠層上形成CBL圖層；

S03、對CBL圖層進行電流阻擋層刻蝕，形成與CBL圖層相對應的電流阻擋層；

S04、去除CBL光刻后的光刻膠。

作為本發明的進一步改進，所述步驟S3中的光刻膠為正膠，所述步驟S3具體為：

在ITO透明導電層上進行正膠勻膠，然后進行MESA圖層光刻，完成正膠曝光及顯影，而后沖水甩干，在光刻膠層上形成MESA圖層；

對形成的MESA圖層進行檢驗。

作為本發明的進一步改進，所述步驟S8中的光刻膠為負膠，所述步驟S8具體為：