[發明專利]LED芯片制作方法

無效

• 申請號: 201310703714.4
• 申請日: 2013-12-19
• 公開（公告）號: CN103633205A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 李忠武;魏天使;何金霞
• 申請（專利權）人: 聚燦光電科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/14;H01L21/027
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

1.一種LED芯片制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

S1、提供一襯底，依次在襯底上制作N型半導體層、發光層和P型半導體層，形成LED晶圓；

S2、在LED晶圓上沉積ITO透明導電層；

S3、使用光刻膠對ITO透明導電層進行MESA光刻，在光刻膠層上形成MESA圖層；

S4、以MESA圖層為掩模對ITO透明導電層進行ITO刻蝕；

S5、以MESA圖層為掩模對LED晶圓進行ICP刻蝕，形成N型半導體臺面；

S6、去除MESA光刻后的光刻膠，露出下方的ITO透明導電層；

S7、在ITO透明導電層和N型半導體臺面上沉積鈍化層；

S8、使用光刻膠對鈍化層進行PAD光刻，在光刻膠層上形成PAD圖層；

S9、對PAD圖層進行鈍化層刻蝕，去除PAD圖層區域的鈍化層；

S10、在刻蝕掉的鈍化層上制作P電極和N電極；

S11、去除PAD光刻后的光刻膠。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S2前還包括：

S01、在LED晶圓上沉積電流阻擋層；

S02、使用光刻膠對電流阻擋層進行CBL光刻，在光刻膠層上形成CBL圖層；

S03、對CBL圖層進行電流阻擋層刻蝕，形成與CBL圖層相對應的電流阻擋層；

S04、去除CBL光刻后的光刻膠。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步驟S3中的光刻膠為正膠，所述步驟S3具體為：

在ITO透明導電層上進行正膠勻膠，然后進行MESA圖層光刻，完成正膠曝光及顯影，而后沖水甩干，在光刻膠層上形成MESA圖層；

對形成的MESA圖層進行檢驗。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步驟S8中的光刻膠為負膠，所述步驟S8具體為：

在鈍化層上進行負膠勻膠，然后進行PAD圖層光刻，完成負膠曝光及顯影，而后沖水甩干，在光刻膠層上形成PAD圖層；

對形成的PAD圖層進行檢驗。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述步驟S8前還包括：

對鈍化層表面進行HDMS預處理，增強光刻膠和鈍化層的粘附性。

6.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述步驟S02中的光刻膠為正膠，所述步驟S02具體為：

在電流阻擋層上進行正膠勻膠，然后進行CBL圖層光刻，完成正膠曝光及顯影，而后沖水甩干，在光刻膠層上形成CBL圖層；

對形成的CBL圖層進行檢驗。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述步驟S02前還包括：

對電流阻擋層表面進行HDMS預處理，增強光刻膠和電流阻擋層的粘附性。

8.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述光刻膠的去除具體包括：

依次用去膠液、丙酮、乙醇溶液進行清洗，最后用清水沖洗并甩干。

9.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步驟S2前還包括：

LED晶圓表面清洗，使用濃硫酸和雙氧水的體積比為3:1，清洗溫度為90℃-100℃，清洗時間為10min-15min。