[發明專利]用于檢測晶圓的比對座標的方法

在審

• 申請號: 201310703377.9
• 申請日: 2013-12-19
• 公開（公告）號: CN104733335A
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發明（設計）人: 江宜勇;林裕超;羅文期;林照晃;藍于凱
• 申請（專利權）人: 致茂電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

技術領域

本發明是有關一種比對座標的方法，且特別是有關一種用于檢測晶圓的比對座標的方法。

背景技術

已知以自動光學檢測裝置(Automated?Optical?Inspection；AOI)檢測晶圓的晶粒時，需以光罩檔提供的光罩晶粒位置比對晶圓的空白晶粒位置。然而，晶圓在檢測前的制程難免會發生破片或來料不良的情形，導致晶圓的空白晶粒的數量變多，使得光罩晶粒的位置與晶圓的空白晶粒的位置比對失敗。

因此，技術人員需以手動的方式指定空白晶粒的位置，才能讓有問題的晶圓(例如部分破片的晶圓)在檢測后繼續施以后續的制程。然而，以人工的方式指定空白晶粒的位置容易發生指定錯誤的情形，不僅會耗費大量的檢測時間，還會導致合格率難以提升。

發明內容

本發明的一目的為提供一種用于檢測晶圓的比對座標的方法。

根據本發明一實施方式，一種用于檢測晶圓的比對座標的方法，包含下列步驟：(a)取得對應晶圓的多個光罩晶粒的座標。(b)利用光罩晶粒的座標計算光罩晶粒任一者到其他光罩晶粒的多個第一距離。(c)根據掃瞄晶圓的位置數據，找到多個空白晶粒。(d)根據第一距離比對空白晶粒與光罩晶粒，以得到多個比對符合次數。(e)當比對符合次數的最高者產生時，利用光罩晶粒的座標取得空白晶粒的座標。(f)計算空白晶粒的一者的座標與參考座標間的第二距離。(g)根據第二距離調整參考座標以對應光罩晶粒的座標。

在本發明一實施方式中，上述步驟(c)包含：從點測程序取得掃瞄晶圓的位置數據。

在本發明一實施方式中，上述步驟(d)包含：移動光罩晶粒至空白晶粒，使光罩晶粒的至少一者與空白晶粒的一者重疊。

在本發明一實施方式中，上述步驟(e)包含：排序比對符合次數。

在本發明一實施方式中，上述步驟(e)包含：記錄比對符合次數的最高者產生時光罩晶粒與空白晶粒的位置狀態。

在本發明一實施方式中，上述步驟(c)包含：使用自動光學檢測裝置掃瞄晶圓。

在本發明一實施方式中，上述步驟(g)包含：自動光學檢測裝置的感光元件根據參考座標移動到晶圓的原點晶粒。

在本發明一實施方式中，上述步驟(b)包含：記錄光罩晶粒任一者到其他光罩晶粒的第一距離。

在本發明一實施方式中，在上述步驟(c)中，空白晶粒的數量與光罩晶粒的數量相同。

在本發明一實施方式中，在上述步驟(e)中，比對符合次數的最高者等于空白晶粒的數量。

在本發明上述實施方式中，由于光罩晶粒的座標能計算出光罩晶粒任一者到其他光罩晶粒的第一距離，而第一距離可用來比對空白晶粒與光罩晶粒，當比對符合次數的最高者產生時，表示空白晶粒與光罩晶粒的位置對應，因此能利用光罩晶粒的座標取得空白晶粒的座標。如此一來，空白晶粒的座標與參考座標間的第二距離可被計算出，且參考座標可根據第二距離調整以符合所述光罩晶粒的座標。本發明的比對座標的方法可由光罩晶粒的座標取得空白晶粒的座標，且能以自動的方式得到空白晶粒的座標，讓晶圓在檢測后可取得參考座標供后續的制程采用。因此，可節省檢測時間并提升晶圓的合格率。

附圖說明

圖1繪示根據本發明一實施方式的比對座標的方法的流程圖；

圖2繪示根據本發明一實施方式的晶圓的俯視圖；

圖3繪示根據本發明一實施方式的光罩的俯視圖；

圖4繪示圖3的光罩晶粒的一者到其他光罩晶粒的第一距離的示意圖；

圖5繪示圖3的光罩晶粒的另一者到其他光罩晶粒的第一距離的示意圖；

圖6繪示圖3的光罩晶粒的又一者到其他光罩晶粒的第一距離的示意圖；

圖7繪示圖2的空白晶粒與圖3的光罩晶粒比對時的示意圖；

圖8繪示圖2的空白晶粒與圖3的光罩晶粒比對時的示意圖；

圖9繪示圖2的空白晶粒與圖3的光罩晶粒比對時的示意圖；

圖10繪示圖9的空白晶粒與參考座標間的第二距離計算時的示意圖。

具體實施方式

以下將以附圖揭露本發明的多個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一并說明。然而，應了解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化附圖起見，一些已知慣用的結構與元件在附圖中將以簡單示意的方式繪示。