[發(fā)明專利]用于檢測晶圓的比對座標的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310703377.9 | 申請日: | 2013-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN104733335A | 公開(公告)日: | 2015-06-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 江宜勇;林裕超;羅文期;林照晃;藍于凱 | 申請(專利權(quán))人: | 致茂電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 中國臺灣桃園縣龜*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 檢測 座標 方法 | ||
1.一種用于檢測晶圓的比對座標的方法,其特征在于,包含下列步驟:
(a)取得對應(yīng)一晶圓的多個光罩晶粒的座標;
(b)利用所述光罩晶粒的座標計算所述光罩晶粒任一者到其他所述光罩晶粒的多個第一距離;
(c)根據(jù)掃瞄該晶圓的位置數(shù)據(jù),找到多個空白晶粒;
(d)根據(jù)所述第一距離比對所述空白晶粒與所述光罩晶粒,以得到多個比對符合次數(shù);
(e)當所述比對符合次數(shù)的最高者產(chǎn)生時,利用所述光罩晶粒的座標取得所述空白晶粒的座標;
(f)計算所述空白晶粒的一者的座標與一參考座標間的一第二距離;以及
(g)根據(jù)該第二距離調(diào)整該參考座標以符合所述光罩晶粒的座標。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,該步驟(c)包含:
從一點測程序取得掃瞄該晶圓的位置數(shù)據(jù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,該步驟(d)包含:
移動所述光罩晶粒至所述空白晶粒,使所述光罩晶粒的至少一者與所述空白晶粒的一者重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,該步驟(e)包含:
排序所述比對符合次數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,該步驟(e)包含:
記錄所述比對符合次數(shù)的最高者產(chǎn)生時所述光罩晶粒與所述空白晶粒的位置狀態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,該步驟(c)包含:
使用一自動光學(xué)檢測裝置掃瞄該晶圓。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,該步驟(g)包含:
該自動光學(xué)檢測裝置的一感光元件根據(jù)該參考座標移動到該晶圓的一原點晶粒。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,該步驟(b)包含:
記錄所述光罩晶粒任一者到其他所述光罩晶粒的所述第一距離。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在該步驟(c)中,所述空白晶粒的數(shù)量與所述光罩晶粒的數(shù)量相同。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在該步驟(e)中,所述比對符合次數(shù)的最高者等于所述空白晶粒的數(shù)量。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





