[發(fā)明專(zhuān)利]長(zhǎng)晶爐及長(zhǎng)晶爐均勻散熱的控制方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310702144.7
• 申請(qǐng)日: 2013-12-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103741211A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂學(xué)旻;王祿堡
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 鎮(zhèn)江環(huán)太硅科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C30B28/06
• 分類(lèi)號(hào): C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 上海海頌知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31258
• 代理人: 季萍

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)屬于太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，特別是涉及一種長(zhǎng)晶爐及長(zhǎng)晶爐均勻散熱的控制方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)階段，由于光伏產(chǎn)業(yè)界營(yíng)運(yùn)艱困，各制造商無(wú)不挖空心思去降本、增加鑄碇可利用率及最重要的提升硅片轉(zhuǎn)換效率。于此之時(shí)，各多晶爐設(shè)備商無(wú)法提供簡(jiǎn)易、平價(jià)而有效的硅碇底部散熱均勻性改善的技術(shù)服務(wù)。

現(xiàn)有的GT長(zhǎng)晶爐，多晶硅碇的成長(zhǎng)，主要是透過(guò)硅碇底部的石墨散熱塊以熱幅射及對(duì)流方式來(lái)排除熱量，便于形成硅碇晶粒成長(zhǎng)所需的過(guò)冷區(qū)。由于長(zhǎng)晶爐設(shè)計(jì)先天上的缺陷，故現(xiàn)有?GT?爐的鑄碇技術(shù)都普遍的存在底部散熱不均的現(xiàn)象。如此一來(lái)，往上進(jìn)行定向垂直長(zhǎng)晶時(shí)，晶粒成長(zhǎng)方向定會(huì)雜亂無(wú)章，形成局部區(qū)域晶體結(jié)構(gòu)錯(cuò)位(Dislocation)缺陷的增加，最終導(dǎo)致硅碇整體轉(zhuǎn)換效率的下降。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的提供一種長(zhǎng)晶爐及長(zhǎng)晶爐均勻散熱的控制方法，解決了現(xiàn)有技術(shù)中底部散熱不均的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種長(zhǎng)晶爐，包括：

爐體；

位于所述爐體內(nèi)的坩堝；

形成于所述爐體內(nèi)壁上的保溫板，所述的保溫板包括水平設(shè)置于所述坩堝頂端的上保溫內(nèi)側(cè)板，以及豎直分布于所述坩堝四周的下保溫板，所述下保溫板貼近所述坩堝底端邊緣處的厚度小于下保溫內(nèi)板其他位置的厚度。

優(yōu)選的，在上述的長(zhǎng)晶爐中，所述下保溫板貼近所述坩堝底端邊緣處的厚度比下保溫內(nèi)板其他位置的厚度小0.5~1cm。

優(yōu)選的，在上述的長(zhǎng)晶爐中，所述下保溫板設(shè)置為兩層，包括下保溫內(nèi)側(cè)板以及位于所述下保溫內(nèi)側(cè)板與爐體內(nèi)壁之間的下保溫外側(cè)板。

優(yōu)選的，在上述的長(zhǎng)晶爐中，所述下保溫內(nèi)側(cè)板貼近所述坩堝底端邊緣處的厚度比下保溫內(nèi)側(cè)板其他位置的厚度小0.5~1cm。

優(yōu)選的，在上述的長(zhǎng)晶爐中，所述下保溫內(nèi)側(cè)板貼近所述坩堝的一面開(kāi)設(shè)有矩形凹槽。

優(yōu)選的，在上述的長(zhǎng)晶爐中，所述矩形凹槽的左右寬度為0.5~1cm。

優(yōu)選的，在上述的長(zhǎng)晶爐中，所述矩形凹槽的上下高度為17~20cm。

優(yōu)選的，在上述的長(zhǎng)晶爐中，所述保溫板的材質(zhì)為石墨硬氈。

相應(yīng)地，本發(fā)明還提供了一種長(zhǎng)晶爐均勻散熱的控制方法，對(duì)坩堝底端邊緣處對(duì)應(yīng)的保溫板的厚度進(jìn)行減薄，達(dá)到整體硅碇底部均勻散熱。

優(yōu)選的，在上述的長(zhǎng)晶爐均勻散熱的控制方法中，所述保溫板減薄的厚度為0.5~1cm。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：本發(fā)明通過(guò)長(zhǎng)晶爐下保溫內(nèi)側(cè)板幾何形狀的變更設(shè)計(jì)，我們就可利用保溫板厚度變薄，保溫效果變差的原理，將固有硅碇底側(cè)邊散熱較慢的情形加以改善，而達(dá)到整體硅碇底部均勻散熱的目的。避免定向垂直長(zhǎng)晶時(shí)局部區(qū)域晶體結(jié)構(gòu)錯(cuò)位(Dislocation)缺陷的增加，使硅碇整體轉(zhuǎn)換效率得以提升。

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附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本申請(qǐng)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本申請(qǐng)中記載的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1所示為本發(fā)明具體實(shí)施例中長(zhǎng)晶爐的結(jié)構(gòu)示意圖。

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具體實(shí)施方式

本發(fā)明所依賴的基礎(chǔ)，是經(jīng)由對(duì)多晶爐保溫系統(tǒng)的了解與分析，并結(jié)合熱傳學(xué)理的應(yīng)用。本發(fā)明通過(guò)長(zhǎng)晶爐下保溫內(nèi)側(cè)板幾何形狀的變更設(shè)計(jì)，我們就可利用保溫板厚度變薄，保溫效果變差的原理，將固有硅碇底側(cè)邊散熱較慢的情形加以改善，而達(dá)到整體硅碇底部均勻散熱的目的。

具體地，本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種長(zhǎng)晶爐，包括：

爐體；

位于所述爐體內(nèi)的坩堝；

形成于所述爐體內(nèi)壁上的保溫板，所述的保溫板包括水平設(shè)置于所述坩堝頂端的上保溫內(nèi)側(cè)板，以及豎直分布于所述坩堝四周的下保溫板，所述下保溫板貼近所述坩堝底端邊緣處的厚度小于下保溫內(nèi)板其他位置的厚度。

本發(fā)明實(shí)施例還公開(kāi)了一種長(zhǎng)晶爐均勻散熱的控制方法，對(duì)坩堝底端邊緣處對(duì)應(yīng)的保溫板的厚度進(jìn)行減薄，達(dá)到整體硅碇底部均勻散熱。

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。