[發(fā)明專利]顯示器襯底及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310700625.4 | 申請日: | 2013-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN103996690B | 公開(公告)日: | 2018-07-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金星民;崔俊呼 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 王達佐;陰亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 襯底 顯示器 透射率測量 圖案單元 無源區(qū) 源區(qū) 有機發(fā)光二極管 輔助層 沉積 制造 圖案 | ||
顯示器襯底及其制造方法。所述顯示器襯底包括:襯底,其包括有源區(qū)和無源區(qū);布置在所述襯底的有源區(qū)上的有機發(fā)光二極管(OLED)單元;以及布置在所述襯底的無源區(qū)上的透射率測量圖案單元。所述透射率測量圖案單元包括布置在所述襯底上的沉積輔助層圖案。
背景
1.領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示器襯底及其制造方法。
2.相關(guān)技術(shù)描述
隨著顯示器技術(shù)的發(fā)展,顯示器裝置正廣泛用于便攜式裝置(例如,筆記本電腦、移動電話和便攜式媒體播放器(PMP))以及家用顯示器裝置(例如TV和監(jiān)控器)。尤其是,更輕且更薄的顯示器裝置的趨勢正在增加液晶顯示器(LCD)裝置、有機發(fā)光顯示器裝置等的普及。
有機發(fā)光顯示器裝置是自發(fā)射型顯示器裝置,其中向陽極、陰極以及布置在陽極與陰極之間的有機發(fā)光層施加電壓,使得電子和空穴在有機發(fā)光層中重組以發(fā)射光。
最近的研究涉及使用有機發(fā)光顯示器裝置提供大型顯示器。然而,大型顯示器增加了覆蓋所有像素的電極的導(dǎo)線電阻,并且增加的導(dǎo)線電阻產(chǎn)生電壓降,導(dǎo)致發(fā)光不均勻。此外,功耗增加。
為了決絕上述問題,已建議形成輔助電極,從而防止電極的電壓降。然而,在形成輔助電極的過程中可損壞有機發(fā)光顯示器裝置的有機層或電極。
概述
本發(fā)明的實施方案的方面涉及顯示器襯底及其制造方法,其中能通過形成導(dǎo)電層(例如輔助電極)來防止或降低電壓降。
本發(fā)明的實施方案的方面還涉及顯示器襯底及其制造方法,其中在形成導(dǎo)電層(例如輔助電極)的過程中能使有機層或電極免受損壞(或能降低對有機層或電極的損壞)。
本發(fā)明的實施方案的方面涉及顯示器襯底及其制造方法,其中能通過在形成導(dǎo)電層(例如輔助電極)后測量透射率來測定透射率的降低。
然而,本發(fā)明的實施方案的方面不限于本文所述的那些。參考詳細描述和附圖,本發(fā)明的上述及其他方面對于本發(fā)明所涉及領(lǐng)域的技術(shù)人員而言,會變得顯而易見。
在實施方案中,提供了顯示器襯底,所述顯示器襯底包括:襯底,所述襯底具有有源區(qū)和無源區(qū);在所述襯底的有源區(qū)上的有機發(fā)光二極管(OLED)單元;以及在所述襯底的無源區(qū)上的透射率測量圖案單元,其中所述透射率測量圖案單元包括在所述襯底上的沉積輔助層圖案。
在一實施方案中,沉積輔助層圖案包括8-喹啉鋰、N,N-二苯基-N,N-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)聯(lián)苯基-4,4’-二胺、N-(二苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺或2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑。
在一實施方案中,透射率測量圖案單元還包括在沉積輔助層圖案上的導(dǎo)電層圖案。
在一實施方案中,導(dǎo)電層圖案包含Mg。
在一實施方案中,OLED單元包括:在襯底上的薄膜晶體管(TFT);覆蓋TFT的第一絕緣層;在第一絕緣層上且與TFT電連接的第一電極;在第一絕緣層上的第二絕緣層,所述第二絕緣層覆蓋第一電極的第一部分且具有暴露第一電極的第二部分的開口;在第二絕緣層的一部分上并且在通過所述開口而暴露的第一電極的第二部分上的有機發(fā)光層;在第二絕緣層和有機發(fā)光層上的第二電極;在第二電極的第一區(qū)域上的沉積輔助層;以及與第二電極電連接的導(dǎo)電層,所述導(dǎo)電層位于不包括第二電極的第一區(qū)域的第二電極的第二區(qū)域上。
在一實施方案中,第二電極為透光薄膜。
在一實施方案中,第二電極包含選自Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其合金的金屬。
在一實施方案中,導(dǎo)電層與沉積輔助層的邊緣的側(cè)表面接觸。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





