[發(fā)明專(zhuān)利]顯示器襯底及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310700625.4 | 申請(qǐng)日: | 2013-12-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103996690B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-07-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金星民;崔俊呼 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/32 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/32;H01L21/77;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204 | 代理人: | 王達(dá)佐;陰亮 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 襯底 顯示器 透射率測(cè)量 圖案單元 無(wú)源區(qū) 源區(qū) 有機(jī)發(fā)光二極管 輔助層 沉積 制造 圖案 | ||
1.顯示器襯底,其包括:
襯底,所述襯底具有有源區(qū)和無(wú)源區(qū);
在所述襯底的有源區(qū)上的有機(jī)發(fā)光二極管單元;以及
在所述襯底的無(wú)源區(qū)上的透射率測(cè)量圖案單元,
其中所述透射率測(cè)量圖案單元包括在所述襯底上的沉積輔助層圖案。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示器襯底,其中所述沉積輔助層圖案包含8-喹啉鋰、N,N-二苯基-N,N-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)聯(lián)苯基-4,4’-二胺、N-(二苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺或2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示器襯底,其中所述透射率測(cè)量圖案單元還包括在所述沉積輔助層圖案上的導(dǎo)電層圖案。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示器襯底,其中所述導(dǎo)電層圖案包含Mg。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示器襯底,其中所述有機(jī)發(fā)光二極管單元包括:
在所述襯底上的薄膜晶體管;
覆蓋所述薄膜晶體管的第一絕緣層;
在所述第一絕緣層上且與所述薄膜晶體管電連接的第一電極;
在所述第一絕緣層上的第二絕緣層,所述第二絕緣層覆蓋所述第一電極的第一部分并且具有暴露所述第一電極的第二部分的開(kāi)口;
在所述第二絕緣層的一部分上且在通過(guò)所述開(kāi)口而暴露的所述第一電極的第二部分上的有機(jī)發(fā)光層;
在所述第二絕緣層和所述有機(jī)發(fā)光層上的第二電極;
在所述第二電極的第一區(qū)域上的沉積輔助層;以及
與所述第二電極電連接的導(dǎo)電層,所述導(dǎo)電層位于不包括所述第二電極的第一區(qū)域的所述第二電極的第二區(qū)域上。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示器襯底,其中所述第二電極為透光薄膜。
7.如權(quán)利要求5所述的顯示器襯底,其中所述第二電極包含選自Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其合金的金屬。
8.如權(quán)利要求5所述的顯示器襯底,其中所述導(dǎo)電層與所述沉積輔助層的邊緣的側(cè)表面接觸。
9.如權(quán)利要求5所述的顯示器襯底,其中所述導(dǎo)電層包含Mg。
10.如權(quán)利要求5所述的顯示器襯底,其中所述導(dǎo)電層的厚度等于或大于所述第二電極的厚度。
11.如權(quán)利要求5所述的顯示器襯底,其中所述沉積輔助層由光傳輸材料形成。
12.如權(quán)利要求5所述的顯示器襯底,其中所述沉積輔助層包含8-喹啉鋰、N,N-二苯基-N,N-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)聯(lián)苯基-4,4’-二胺、N-(二苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺或2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑。
13.如權(quán)利要求5所述的顯示器襯底,其中所述導(dǎo)電層與所述沉積輔助層之間的附著力弱于所述導(dǎo)電層與所述第二電極之間的附著力。
14.如權(quán)利要求5所述的顯示器襯底,其中所述有機(jī)發(fā)光二極管單元包括配置為傳送外部光的傳輸區(qū)域,以及與所述傳輸區(qū)域鄰近的像素區(qū)域,其中全部或部分的所述傳輸區(qū)域和所述像素區(qū)域位于所述第二電極的第一區(qū)域中,并且其中所述第一電極與所述像素區(qū)域重疊。
15.如權(quán)利要求14所述的顯示器襯底,其中所述第一電極與所述薄膜晶體管重疊且遮蔽所述薄膜晶體管。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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