[發明專利]一種適合于超高顯示密度的集成LED顯示封裝模塊

無效

• 申請號: 201310699575.2
• 申請日: 2013-12-18
• 公開（公告）號: CN103680340A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 王瑞光;田志輝;陳宇;馬新峰;苗靜
• 申請（專利權）人: 長春希達電子技術有限公司
• 主分類號: G09F9/33
• 分類號: G09F9/33;H01L25/16;H01L33/62
• 代理公司: 長春吉大專利代理有限責任公司 22201
• 代理人: 王淑秋

1.一種適合于超高顯示密度的集成LED顯示封裝模塊，包括驅動IC（6）、驅動電路板（5）、LED晶圓（1）；所述驅動IC（6）焊接在驅動電路板（5）的背面，LED晶圓（1）固定于驅動電路板（5）的正面；其特征在于所述LED晶圓（1）中至少兩個基色的LED發光芯片采用垂直單電極結構；采用垂直單電極結構的LED發光芯片底部電極通過導電銀膠粘接固定在驅動電路板的對應印制電極上，頂部電極通過導線與驅動電路板對應印制電極連接。

2.根據權利要求1所述的適合于超高顯示密度的集成LED顯示封裝模塊，其特征在于所述LED晶圓（1）中綠、藍LED發光芯片一個采用垂直單電極結構，另一個采用倒置安裝結構；采用倒置安裝結構LED發光芯片采用透明基底，芯片正極通過導電銀膠與驅動電路板上的印制電極正極粘接固定，負極通過導電銀膠與驅動電路板上的印制電極負極粘接固定；紅LED發光芯片采用垂直單電極結構，其底部電極通過導電銀膠與驅動電路板上的對應印制電極粘接固定，頂部電極通過導線與驅動電路板上的對應印制電極連接。

3.根據權利要求2所述的適合于超高顯示密度的集成LED顯示封裝模塊，其特征在于所述采用垂直單電極結構的LED發光芯片采用透明基底且透明基底位于芯片的上部。

4.根據權利要求2所述的適合于超高顯示密度的集成LED顯示封裝模塊，其特征在于所述倒置安裝結構的LED發光芯片采用長方形。

5.根據權利要求1所述的適合于超高顯示密度的集成LED顯示封裝模塊，其特征在于還包括透明封裝膠體（9），所述透明封裝膠體（9）包覆于LED晶圓（1）上，形成凸點狀發光體。

6.根據權利要求1所述的適合于超高顯示密度的集成LED顯示封裝模塊，其特征在于還包括黑漆層（7）和透明保護膠層（8），黑漆層（7）噴涂于驅動電路板（5）上避開LED晶圓（1）的表面，透明保護膠層（8）附著于LED晶圓（1）和驅動電路板（5）上。

7.根據權利要求1所述的適合于超高顯示密度的集成LED顯示封裝模塊，其特征在于還包括面罩（4）和透明灌封膠體（3），所述面罩(4)附于驅動電路板(5)上，且其對應于LED晶圓(1)的位置帶有出光孔，透明灌封膠體(3)灌封于面罩(4)的出光孔中。

8.根據權利要求7所述的適合于超高顯示密度的集成LED顯示封裝模塊，其特征在于所述面罩(4)的正面呈黑色，面罩(4)的各出光孔側壁涂有作為高反射率漫反射表面(21)的高反射率漫反射膜；面罩(4)和透明灌封膠體(3)的正面粘貼棱鏡膜(22)。

9.根據權利要求7所述的適合于超高顯示密度的集成LED顯示封裝模塊，其特征在于所述驅動電路板（5）的正面出光孔處帶有銀反光層。

10.根據權利要求6或7所述的適合于超高顯示密度的集成LED顯示封裝模塊，其特征在于還包括粘貼于透明封裝膠體上的透光修飾薄膜；所述透光修飾薄膜顏色為灰色，透光率大于等于60%小于等于90%，厚度大于等于0.5mm小于等于2mm。