[發明專利]硅基擴展結薄膜太陽能電池在審

申請號：	201310698436.8	申請日：	2013-12-18
公開（公告）號：	CN104733558A	公開（公告）日：	2015-06-24
發明（設計）人：	宋太偉	申請（專利權）人：	上海建冶科技工程股份有限公司
主分類號：	H01L31/075	分類號：	H01L31/075;H01L31/0747
代理公司：	上海科盛知識產權代理有限公司 31225	代理人：	楊元焱
地址：	201108 ***	國省代碼：	上海;31
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關鍵詞：	擴展薄膜太陽能電池
鉆瓜網技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【權利要求書】：

1.一種硅基擴展結薄膜太陽能電池，包括頂層電極層和底層電極層，其特征在于，在頂層電極層和底層電極層之間設有PP-I-NN結復合層。?

2.如權利要求1所述的硅基擴展結薄膜太陽能電池，其特征在于：所述PP-I-NN結復合層由P型重度摻雜薄膜層、P型輕度摻雜薄膜層、I本征層、N型輕度摻雜薄膜層和N型重度摻雜薄膜層順序層疊構成，P型重度摻雜薄膜層和P型輕度摻雜薄膜層的總厚度為1～600納米，I本征層的厚度為200～2000納米，N型輕度摻雜薄膜層和N型重度摻雜薄膜層的總厚度為2-1000納米。?

3.如權利要求1所述的硅基擴展結薄膜太陽能電池，其特征在于：所述P型重度摻雜薄膜層、P型輕度摻雜薄膜層、N型輕度摻雜薄膜層和N型重度摻雜薄膜層同為硅基摻雜的非晶或微晶，或是由硅基摻雜的非晶或微晶半導體內層和非硅基非晶或微晶摻雜的半導體外層構成，所述的半導體包括碳化硅、氮化硅、氧化鋅、氧化鈦、氧化銅、鍺、砷化銦、砷化鎵或銻化鋅。?

4.如權利要求1所述的硅基擴展結薄膜太陽能電池，其特征在于：所述N型重度摻雜薄膜層與底層電極層之間可設有隔離層，厚度為0～10納米但不為零。?

5.如權利要求1所述的硅基擴展結薄膜太陽能電池，其特征在于：所述頂層電極層為透明導電材料層，厚度為10～2000納米；底層電極層為金屬層，厚度為0～100微米但不為零。?

6.如權利要求6所述的硅基擴展結薄膜太陽能電池，其特征在于：所述透明導電材料包括TCO。?

7.如權利要求6所述的硅基擴展結薄膜太陽能電池，其特征在于：所述金屬層可為雙金屬層結構。?

下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。

免登錄下載普通用戶下載升級VIP會員，免費下載

該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海建冶科技工程股份有限公司;，未經上海建冶科技工程股份有限公司;許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】

本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310698436.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。