[發(fā)明專利]納米腔誘導共振磁光克爾效應晶體材料的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310695403.8 | 申請日: | 2013-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN103668463A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張霞;夏云杰;韓培高 | 申請(專利權(quán))人: | 曲阜師范大學 |
| 主分類號: | C30B30/02 | 分類號: | C30B30/02;C30B29/02;C30B29/64;C23C14/58;C23C14/35;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 濟南泉城專利商標事務所 37218 | 代理人: | 袁敬清 |
| 地址: | 273165 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 納米 誘導 共振 克爾 效應 晶體 材料 制備 方法 | ||
1.一種納米腔誘導共振磁光克爾效應晶體材料的制備方法,其特征在于,包括步驟如下:
(1)在玻璃襯底上濺射Cr層后,在Cr層濺射Ag薄膜;
(2)利用自組織方法,在Ag薄膜上密排聚苯乙烯小球;
(3)在聚苯乙烯小球納米球間隙中沉積磁性材料;
(4)溶去聚苯乙烯小球PSS,即得。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,具體包括步驟如下:
(1)首先將玻璃襯底依次放在無水酒精和丙酮中,用超聲波清洗器各清洗20分鐘,重復二至三遍,然后吹干放入濺射腔內(nèi),抽真空至3.0*10-5Pa,采用兩直流磁控濺射方式,先在玻璃襯底上生長緩沖層Cr,生長時通氬氣,氬氣壓維持在0.5Pa,厚度15-25?nm?,關(guān)掉Cr靶電源和氬氣,將濺射真空抽回至3.0*10-5Pa,然后再次通氬氣,使氬氣壓維持在0.35Pa,啟輝Ag靶,濺射Ag薄膜至150-200?nm,濺射完畢一小時后,開腔,取出Ag薄膜樣品;
(2)利用自組織的方法,在Ag薄膜上密排聚苯乙烯小球;具體工藝為:PSS膠體溶液自組裝是在大氣環(huán)境中進行的,環(huán)境溫度為25攝氏度,濕度為50%,溶液濃度為10%,溶液在大氣中自然蒸發(fā)后,使聚苯乙烯小球六角密排在Ag薄膜表面,得到二維玻璃/Cr/Ag薄膜/PSS模板,其中PSS的直徑為400-750nm;
(3)在聚苯乙烯小球納米球間隙中沉積磁性材料;具體沉積工藝為:
磁性材料在PSS納米球間隙中的沉積是在CHI-1211A手提式電化學工作站上進行的,采用三電極法,用二維玻璃/Cr(/Ag薄膜/PSS模板為工作電極,Pt絲為對電極,Ag/AgCl為參比電極,沉積電壓為-1?V,沉積時間為150?S;使磁性材料生長在聚苯乙烯小球的間隙中;
(4)溶去聚苯乙烯小球PSS;首先將樣品放在四氫呋喃中,冷卻超聲30分鐘,取出用酒精沖洗后,放到丙酮中冷卻超10分鐘,此過程重復一次,最后樣品從丙酮中取出用酒精沖洗后,吹干,得到納米腔誘導共振磁光克爾效應晶體材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法,其特征在于,?所述的聚苯乙烯小球的直徑為414nm,532nm、619nm或713nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法,其特征在于,?所述的磁性材料為Co或Ni。
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