[發(fā)明專利]一種提升晶體硅太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率的擴(kuò)散工藝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310693878.3
• 申請(qǐng)日: 2013-12-18
• 公開（公告）號(hào): CN103633192A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梅超;張文;黃治國;王鵬;柳杉;包兵兵;殷建安
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上饒光電高科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L21/22
• 代理公司: 江西省專利事務(wù)所 36100
• 代理人: 楊志宇

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種提升晶體硅太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率的擴(kuò)散方法，屬于太陽能電池領(lǐng)域。?

背景技術(shù)

在太陽能電池領(lǐng)域中，擴(kuò)散工藝采用推進(jìn)的方式可以降低表面擴(kuò)散濃度，從而可減少擴(kuò)散層的復(fù)合，由此可提高光線的短波響應(yīng)，使得短路電流、開路電壓都得到一定的提升，最終提高光電轉(zhuǎn)換效率，但帶來結(jié)深變大的問題會(huì)影響這一效果。?

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種提升晶體硅太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率的擴(kuò)散方法，增加擴(kuò)散工藝推進(jìn)步驟的氧氣流量，減緩結(jié)深變大，同時(shí)明顯提高N層雜質(zhì)含量，PN結(jié)電勢(shì)差加大導(dǎo)致開路電壓得到一定的提升，從而提高光電轉(zhuǎn)換效率，該方法工藝簡(jiǎn)單成本低廉，對(duì)太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率有一定的提升。?

一種提升晶體硅太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率的擴(kuò)散方法，具體步驟如下：?

1、電阻率為1-3ohm.cm的156mm╳156mm規(guī)格的P型多晶硅片，常規(guī)酸制絨；

2、進(jìn)入階段：把多晶硅片推入荷蘭TEMPRESS擴(kuò)散爐中，爐內(nèi)通入大氮?dú)?slm，溫度810℃，壓力15pa，持續(xù)時(shí)間10min；

?3、進(jìn)槳階段：爐內(nèi)通入大氮?dú)?slm，溫度810℃，壓力15pa，持續(xù)時(shí)間10min；

4、檢漏階段：爐內(nèi)通入大氮?dú)?0slm，溫度810℃，壓力-200pa，持續(xù)時(shí)間5min；

5、升溫階段：爐內(nèi)通入大氮?dú)?0slm，溫度810℃，壓力15pa，持續(xù)時(shí)間20min；

6、前氧化階段：爐內(nèi)通入大氮?dú)?0slm，通入氧氣350?sccm，溫度810℃，壓力15pa，持續(xù)時(shí)間5min；

7、沉積階段：爐內(nèi)通入大氮?dú)?0slm，通入氧氣350?sccm，小氮?dú)?200?sccm，溫度810℃，壓力15pa，持續(xù)時(shí)間15min；

8、后氧化階段：爐內(nèi)通入大氮?dú)?0slm，通入氧氣500?sccm，小氮?dú)?0?sccm，溫度840℃，壓力15pa，持續(xù)時(shí)間10min；

9、推進(jìn)階段：爐內(nèi)通入大氮?dú)?0slm，通入氧氣4500?sccm，小氮?dú)?0?sccm，溫度880℃，壓力15pa，持續(xù)時(shí)間20min；

10、冷卻階段：爐內(nèi)通入大氮?dú)?0slm，溫度800℃，壓力15pa，持續(xù)時(shí)間15min；

11、進(jìn)槳階段：爐內(nèi)通入大氮?dú)?0slm，溫度800℃，壓力-30pa，持續(xù)時(shí)間10min；

12、退出階段：爐內(nèi)溫度800℃，壓力5pa，持續(xù)時(shí)間15min，把多晶硅片從在荷蘭TEMPRESS擴(kuò)散爐中推出。

其中大氮?dú)夂托〉獨(dú)馐侵竷煞N不同的管道通入的氮?dú)猓捎诹髁坎煌桶蚜髁看蟮姆Q為大氮?dú)猓髁啃〉姆Q為小氮?dú)狻?

本發(fā)明對(duì)擴(kuò)散工藝步驟進(jìn)行相關(guān)參數(shù)調(diào)整，找到合適的推進(jìn)時(shí)間、溫度和氧氣流量，使得產(chǎn)生有明顯優(yōu)勢(shì)的ECV曲線以及IQE曲線，同時(shí)獲得良好的光電轉(zhuǎn)換效率。?

具體實(shí)施方式

實(shí)施例1：?

一種提升晶體硅太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率的擴(kuò)散方法，具體步驟如下：

1、電阻率為1-3ohm.cm的156mm╳156mm規(guī)格的P型多晶硅片，常規(guī)酸制絨；

2、進(jìn)入階段：把多晶硅片推入荷蘭TEMPRESS擴(kuò)散爐中，爐內(nèi)通入大氮?dú)?slm，溫度810℃，壓力15pa，持續(xù)時(shí)間10min；

?3、進(jìn)槳階段：爐內(nèi)通入大氮?dú)?slm，溫度810℃，壓力15pa，持續(xù)時(shí)間10min；

4、檢漏階段：爐內(nèi)通入大氮?dú)?0slm，溫度810℃，壓力-200pa，持續(xù)時(shí)間5min；

5、升溫階段：爐內(nèi)通入大氮?dú)?0slm，溫度810℃，壓力15pa，持續(xù)時(shí)間20min；

6、前氧化階段：爐內(nèi)通入大氮?dú)?0slm，通入氧氣350?sccm，溫度810℃，壓力15pa，持續(xù)時(shí)間5min；

7、沉積階段：爐內(nèi)通入大氮?dú)?0slm，通入氧氣350?sccm，小氮?dú)?200?sccm，溫度810℃，壓力15pa，持續(xù)時(shí)間15min；

8、后氧化階段：爐內(nèi)通入大氮?dú)?0slm，通入氧氣500?sccm，小氮?dú)?0?sccm，溫度840℃，壓力15pa，持續(xù)時(shí)間10min；

9、推進(jìn)階段：爐內(nèi)通入大氮?dú)?0slm，通入氧氣4500?sccm，小氮?dú)?0?sccm，溫度880℃，壓力15pa，持續(xù)時(shí)間20min；

10、冷卻階段：爐內(nèi)通入大氮?dú)?0slm，溫度800℃，壓力15pa，持續(xù)時(shí)間15min；