[發(fā)明專利]一種提升晶體硅太陽電池光電轉換效率的擴散工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310693878.3 | 申請日: | 2013-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN103633192A | 公開(公告)日: | 2014-03-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | 梅超;張文;黃治國;王鵬;柳杉;包兵兵;殷建安 | 申請(專利權)人: | 上饒光電高科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/22 |
| 代理公司: | 江西省專利事務所 36100 | 代理人: | 楊志宇 |
| 地址: | 334100 江西*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提升 晶體 太陽電池 光電 轉換 效率 擴散 工藝 | ||
1.一種提升晶體硅太陽電池光電轉換效率的擴散方法,其特征為:具體步驟如下:
1)、電阻率為1-3ohm.cm的156mm╳156mm規(guī)格的P型多晶硅片,常規(guī)酸制絨;
2)、進入階段;
?3)、進槳階段;
4)、檢漏階段;
5)、升溫階段;
6)、前氧化階段;
7)、沉積階段;
8)、后氧化階段;
9)、推進階段;
10)、冷卻階段;
11)、進槳階段;
12)、退出階段。
2.一種提升晶體硅太陽電池光電轉換效率的擴散方法,其特征為:具體步驟如下:
1)、電阻率為1-3ohm.cm的156mm╳156mm規(guī)格的P型多晶硅片,常規(guī)酸制絨;
2)、進入階段:把多晶硅片推入荷蘭TEMPRESS擴散爐中,爐內(nèi)通入大氮氣5slm,溫度810℃,壓力15pa,持續(xù)時間10min;
?3)、進槳階段:爐內(nèi)通入大氮氣5slm,溫度810℃,壓力15pa,持續(xù)時間10min;
4)、檢漏階段:爐內(nèi)通入大氮氣10slm,溫度810℃,壓力-200pa,持續(xù)時間5min;
5)、升溫階段:爐內(nèi)通入大氮氣20slm,溫度810℃,壓力15pa,持續(xù)時間20min;
6)、前氧化階段:爐內(nèi)通入大氮氣10slm,通入氧氣350?sccm,溫度810℃,壓力15pa,持續(xù)時間5min;
7)、沉積階段:爐內(nèi)通入大氮氣10slm,通入氧氣350?sccm,小氮氣1200?sccm,溫度810℃,壓力15pa,持續(xù)時間15min;
8)、后氧化階段:爐內(nèi)通入大氮氣10slm,通入氧氣500?sccm,小氮氣30?sccm,溫度840℃,壓力15pa,持續(xù)時間10min;
9)、推進階段:爐內(nèi)通入大氮氣10slm,通入氧氣4500?sccm,小氮氣30?sccm,溫度880℃,壓力15pa,持續(xù)時間20min;
10)、冷卻階段:爐內(nèi)通入大氮氣10slm,溫度800℃,壓力15pa,持續(xù)時間15min;
11)、進槳階段:爐內(nèi)通入大氮氣10slm,溫度800℃,壓力-30pa,持續(xù)時間10min;
12)、退出階段:爐內(nèi)溫度800℃,壓力5pa,持續(xù)時間15min,把多晶硅片從在荷蘭TEMPRESS擴散爐中推出。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





