[發明專利]快閃存儲器裝置及其設定方法

有效

• 申請號: 201310693686.2
• 申請日: 2013-12-17
• 公開（公告）號: CN104134462B
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發明（設計）人: 金鐘俊;樸應俊
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/30
• 分類號: G11C16/30
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 任默聞

本發明提供了一種快閃存儲器裝置及其設定方法，該快閃存儲器裝置可在兩種供應電壓操作，一種是外部提供的供應電壓，另一種則是通過該外部提供的供應電壓產生于該快閃存儲器裝置內部的供應電壓。該快閃存儲器裝置可具有一可選電位的緩沖器，作為與低供應電壓或高供應電壓集成電路的連接接口。為了提供裝置的運用彈性，該快閃存儲器裝置可設計為可由外部電壓源接收一第二供應電壓的形式。其中，接收自外部電壓源的該第二供應電壓，可較該內部產生的供應電壓優先使用、或與該內部產生的供應電壓結合使用。

技術領域

本發明揭露有關于快閃存儲器，特別是有關于雙供應電壓操作的封裝的串列周邊接口與非門快閃存儲器裝置及快閃存儲器裝置及其設定方法。

背景技術

快閃存儲器用于許多不同的存儲器裝置架構，包括各種并列式和串列式接口以及各種與非門和或非門存儲器陣列。雖然快閃存儲器內部某些特定操作需要高供應電壓(例如3伏特)，但其I／O接口操作可接受高供應電壓或低供應電壓(例如1.8伏特)。不管系統中的其他集成電路是操作在高或低電壓，I／O接口操作對低或高供應電壓的選擇可允許快閃存儲器裝置由系統中其他集成電路接收輸入以及提供輸出給系統中其他集成電路。

一種常見于快閃存儲器中用以提供可選的I／O供應電壓操作是使用兩個供應腳位。一個腳位用于接收V_DD以進行內部操作，另一個腳位則用于接收V_DDQ以進行I／O操作。以這種方式，可施加3伏特至腳位V_DD以供電給該快閃存儲器裝置的內部操作，并可施加1.8伏特至腳位V_DDQ以兼容其他要求1.8伏特I／O操作的集成電路或施加3伏特至腳位V_DDQ以兼容其他要求3伏特I／O操作的集成電路。

發明內容

本發明揭露的一實施例為一種快閃存儲器裝置，該裝置包括：一可選電位緩沖器，具有供該快閃存儲器裝置進行外部連接的多個主動端；一快閃存儲器部分；一控制部分，耦接至該快閃存儲器部分；一第一供應電壓端，用以接收來自一外部電壓源的一第一供應電壓；以及一供應電壓產生器，耦接至該第一供應電壓端，用以自該第一供應電壓產生一內部供應電壓以及用以自該供應電壓產生器的一輸出提供該內部供應電壓作為一第二供應電壓；該可選電位緩沖器被耦接至該第一供應電壓端以及該輸出以選擇性地在該第一供應電壓或該第二供應電壓下操作該等主動端。

本發明揭露的另一實施例為一種快閃存儲器裝置的設定方法。該快閃存儲器裝置具有在低供應電壓輸入／輸出操作的高供應電壓核心電路，該方法包括：在該快閃存儲器裝置接收一高供應電壓；自該高供應電壓產生一低供應電壓在該快閃存儲器裝置；施加該高供應電壓和該低供應電壓至該快閃存儲器裝置的一緩沖電路，該緩沖電路具有供該快閃存儲器裝置進行外部連接的多個主動端；以及在該低供應電壓下操作該等主動端。

附圖說明

圖1是一快閃存儲器裝置的功能方塊圖；

圖2是一SPI-NAND快閃存儲器裝置的電路功能圖；

圖3是一INTVDD電壓產生器的示范性電路概要圖，該INTVDD電壓產生器可適用于圖2的SPI-NAND快閃存儲器裝置；

圖4是一輸入緩沖器的示范性電路概要圖，該輸入緩沖器可適用于圖2的SPI-NAND快閃存儲器裝置；

圖5是一輸出緩沖器的示范性電路概要圖，該輸出緩沖器可適用于圖2的SPI-NAND快閃存儲器裝置；

圖6是一實現圖5的輸出緩沖器的電路概要圖。

附圖標記

10～快閃存儲器裝置；

30～控制部分；

40～快閃存儲器部分；

60、160、200～INTVDD電壓產生器；