[發(fā)明專利]快閃存儲器裝置及其設定方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310693686.2 | 申請日： | 2013-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN104134462B | 公開（公告）日： | 2018-08-28 |
| 發(fā)明（設計）人： | 金鐘俊;樸應俊 | 申請（專利權(quán)）人： | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/30 | 分類號： | G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默聞 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 閃存 裝置 及其 設定 方法 | ||
1.一種快閃存儲器裝置，其特征在于，所述快閃存儲器裝置包括：
一可選電位緩沖器，具有供所述快閃存儲器裝置進行外部連接的多個主動端；
一快閃存儲器部分；
一控制部分，耦接至所述快閃存儲器部分；
一第一供應電壓端，用以接收一外部供應電壓作為一第一供應電壓；以及
一供應電壓產(chǎn)生器，耦接至所述第一供應電壓端，用以自所述第一供應電壓產(chǎn)生一內(nèi)部供應電壓以及用以自所述供應電壓產(chǎn)生器的一輸出提供所述內(nèi)部供應電壓作為一第二供應電壓；
其中：
所述可選電位緩沖器被耦接至所述第一供應電壓端以及所述輸出以選擇性地在所述第一供應電壓或所述第二供應電壓下操作所述多個主動端；
所述可選電位緩沖器包括由所述第一供應電壓供電的一第一輸入緩沖器，在所述多個主動端中的一輸入端耦接操作在所述第一供應電壓的一集成電路時致動，使所述快閃存儲器裝置接收所述輸入端輸入的信號；
所述可選電位緩沖器包括由所述第二供應電壓供電的一第二輸入緩沖器與一反相器、以及由所述第一供應電壓供電的一電位位移器以及一緩沖器；
所述第二輸入緩沖器在所述輸入端耦接操作在所述第二供應電壓的一集成電路時致動，接收所述輸入端的信號，且輸出信號至所述反相器；
所述電位位移器為交叉耦合電路，由所述第二輸入緩沖器以及所述反相器的輸出控制，且輸出信號至所述緩沖器，使所述快閃存儲器裝置接收所述輸入端輸入的信號；
所述供應電壓產(chǎn)生器更包括所述第一供應電壓驅(qū)動的一源極隨耦器以及一比較器；
所述源極隨耦器包括一分壓電路，且所述源極隨耦器依據(jù)所述分壓電路的一第一電阻器和一第二電阻器的電阻比值提供所述內(nèi)部供應電壓；
所述比較器耦接至所述源極隨耦器的所述分壓電路；
當所述內(nèi)部供應電壓低于一平衡電位時，所述比較器接收所述分壓電路的電壓值變小，使所述比較器增加輸出的一第一校正電壓，進而使所述源極隨耦器增加輸出的所述內(nèi)部供應電壓；且
當所述內(nèi)部供應電壓高于所述平衡電位時，所述比較器接收所述分壓電路的電壓值變大，使所述比較器降低輸出的該第一校正電壓，進而使所述源極隨耦器降低輸出的所述內(nèi)部供應電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快閃存儲器裝置，其特征在于，所述快閃存儲器裝置更包括：
一第二供應電壓端，用以接收一外部電壓；
所述供應電壓產(chǎn)生器更耦接至所述第二供應電壓端，用以自所述內(nèi)部供應電壓和所述外部電壓提供所述第二供應電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的快閃存儲器裝置，其特征在于，所述供應電壓產(chǎn)生器包括一電壓選擇電路用以自所述內(nèi)部供應電壓和所述外部電壓選擇所述第二供應電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的快閃存儲器裝置，其特征在于，所述供應電壓產(chǎn)生器包括一電壓處理電路，用以根據(jù)所述內(nèi)部供應電壓和所述外部電壓產(chǎn)生所述第二供應電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快閃存儲器裝置，其特征在于，所述快閃存儲器裝置更包括一封裝型態(tài)，所述封裝型態(tài)將所述可選電位緩沖器、所述快閃存儲器部分、所述控制部分以及所述供應電壓產(chǎn)生器包含于其內(nèi)；其中，所述封裝型態(tài)包括8-pin SOIC 208-mil封裝、8-pin VSOP 208-mil封裝、8-pad WSON 6x5-mm封裝或8-pad WSON 9x6-mm封裝的封裝型態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快閃存儲器裝置，其特征在于，所述快閃存儲器裝置更包括一封裝型態(tài)，所述封裝型態(tài)將所述可選電位緩沖器、所述快閃存儲器部分、所述控制部分以及所述供應電壓產(chǎn)生器包含于其內(nèi)；其中，所述封裝型態(tài)包括16-pin SOIC 300-mil封裝或8-pad WSON 8x6-mm封裝的封裝型態(tài)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快閃存儲器裝置，其特征在于，所述快閃存儲器部分包含一與非門快閃存儲器陣列。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快閃存儲器裝置，其特征在于，所述快閃存儲器部分包含一或非門快閃存儲器陣列。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于華邦電子股份有限公司，未經(jīng)華邦電子股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310693686.2/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
