[發明專利]半導體封裝件的制法在審
| 申請號: | 201310693017.5 | 申請日: | 2013-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN104701196A | 公開(公告)日: | 2015-06-10 |
| 發明(設計)人: | 黃惠暖;詹慕萱;林畯棠 | 申請(專利權)人: | 矽品精密工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/58 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 封裝 制法 | ||
1.一種半導體封裝件的制法,包括:
提供一承載件,其上設置有至少一具有相對的第一表面與第二表面的半導體芯片,且該半導體芯片以其第一表面接置于該承載件上,且該第二表面上接置有多個第一導電組件;
將一具有相對的第三表面與第四表面的中介板以其第三表面接置于該等第一導電組件上,該中介板具有多個嵌埋其中且電性連接該第三表面的導電柱;
于該承載件上形成包覆該半導體芯片與中介板的封裝層,令該封裝層具有面向該承載件的底面與其相對的頂面;
從該中介板的第四表面移除部分厚度的該中介板與封裝層,以外露該導電柱的一端于該第四表面;以及
移除該承載件。
2.根據權利要求1所述的半導體封裝件的制法,其特征在于,于移除部分厚度的該中介板與封裝層之后,還包括于該中介板的第四表面與該封裝層的頂面上形成電性連接該導電柱的線路重布層。
3.根據權利要求2所述的半導體封裝件的制法,其特征在于,該制法還包括于該線路重布層上形成多個第二導電組件。
4.根據權利要求1所述的半導體封裝件的制法,其特征在于,于移除部分厚度的該中介板與封裝層之后,還包括進行切單步驟。
5.根據權利要求1所述的半導體封裝件的制法,其特征在于,該封裝層為封裝膠體或干膜。
6.根據權利要求1所述的半導體封裝件的制法,其特征在于,移除部分厚度的該中介板與封裝層的方式是以研磨為之。
7.根據權利要求3所述的半導體封裝件的制法,其特征在于,該第一導電組件與第二導電組件為焊球。
8.根據權利要求1所述的半導體封裝件的制法,其特征在于,該承載件為膠帶。
9.根據權利要求1所述的半導體封裝件的制法,其特征在于,該第三表面還包括連接該導電柱的線路層。
10.根據權利要求1所述的半導體封裝件的制法,其特征在于,該半導體芯片為已知良品晶粒。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





