[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201310692549.7
• 申請日: 2013-12-17
• 公開（公告）號: CN103943680B
• 公開（公告）日: 2019-06-14
• 發明（設計）人: 島藤貴行
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L23/31;H01L29/06
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 金光軍;戴嵩瑋

1.一種半導體裝置，其特征在于：具有元件活性部和所述元件活性部外周的元件周邊部，

所述元件活性部包括：

第2導電類型的基極區域，形成在半導體基板的第1主表面側的第1導電類型的半導體層上；

第1導電類型的源極區域，形成在所述基極區域；

柵極絕緣膜，形成在所述半導體層和所述源極區域之間的所述基極區域的所述半導體基板的表面上；

柵電極，形成在所述柵極絕緣膜上；

層間絕緣膜，形成在所述柵電極上；

源電極，形成在所述層間絕緣膜上并與所述基極區域和所述源極區域連接；

環狀柵極金屬布線，形成在所述層間絕緣膜上以包圍所述源電極并與所述柵電極電連接，

所述元件周邊部包括：

第2導電類型的至少2個保護環，相互分開地形成在所述半導體層；

絕緣膜，形成在所述半導體基板的所述第1主表面上；

所述層間絕緣膜，形成在所述絕緣膜上；以及

至少一個環狀場板電極，形成在所述層間絕緣膜上以包圍所述元件活性部并與所述保護環電連接；

所述半導體裝置還包括：

有機保護膜，覆蓋所述半導體基板的第1主表面側的上表面并且與所述層間絕緣膜連接，所述有機保護膜設置有部分地暴露所述柵極金屬布線的第1開口部以及部分地暴露所述源電極的第2開口部；以及

無機保護膜，形成在所述柵極金屬布線和所述有機保護膜之間并僅覆蓋所述柵極金屬布線的側面的整面及上表面的整面。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：與形成在所述柵極金屬布線的所述元件周邊部側的側面上的所述無機保護膜相比，所述無機保護膜沒有形成在更外周側。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

在形成在所述柵極金屬布線的所述元件周邊部側的側面上的所述無機保護膜和所述元件周邊部的最外周的所述場板電極的側面之間沒有形成所述無機保護膜；

在所述元件周邊部的最外周具有：

第2導電類型區域，形成在所述半導體層的表面層上；

環狀溝道停止電極，形成在所述層間絕緣膜上并與所述半導體層或者所述第2導電類型區域電連接；

而且，在所述溝道停止電極和所述有機保護膜之間設置第2無機保護膜。

4.根據權利要求1至3中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于：

在所述源電極和所述有機保護膜之間設置第3無機保護膜。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

在所述第1開口部設置部分地暴露所述柵極金屬布線的柵電極極板；

在所述第2開口部設置部分地暴露所述源電極的源電極極板。

6.根據權利要求1至3中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于：所述無機保護膜是氧化硅膜或氮化硅膜。

7.根據權利要求1至3中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于：所述無機保護膜由層積膜構成。

8.根據權利要求1至3中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于：所述有機保護膜是聚苯并惡唑膜或聚酰亞胺膜。

9.根據權利要求1至3中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于：所述柵極金屬布線為包含鋁的合金。