[發明專利]干式積層陶瓷電容器的外部電極制造方法

有效

• 申請號: 201310690862.7
• 申請日: 2013-12-13
• 公開（公告）號: CN103680951A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 高在洪
• 申請（專利權）人: 大連天壹電子有限公司
• 主分類號: H01G4/232
• 分類號: H01G4/232;H01G4/30
• 代理公司: 大連智高專利事務所(特殊普通合伙) 21235
• 代理人: 胡景波

1.干式積層陶瓷電容器的外部電極制造方法，包括以下步驟：

S1：晶片準備階段；

S2:指定晶片上的電極層和電介層的積層層數階段；

S3：在晶片上形成初始絕緣層的階段；

S4：在初始絕緣層上形成電極層的階段；

S5：在電極層上形成電介層的階段；

S6：電極層和電介層反復實施積層的階段；

S7：積層后，電極層和電介層熱處理的階段；

S8：熱處理后形成保護層的階段；

S9：形成保護層后，晶片背面研磨階段；

S10：晶片背面研磨后以芯片形態切割階段；

S11：切割后芯片側面進行蝕刻階段；

S12：芯片側面蝕刻后外部電極的形成階段。

2.根據權利要求1所述的干式積層陶瓷電容器的外部電極制造方法，其制得成品的至少包括兩個以上的電極層，兩個最相近的電極層分別為上部電極層（5）和下部電極層（3），在每兩個電極層之間是電介層（4），最上一層電極層之上設保護層（6），最下一層電極層之下由上至下依次為初始絕緣層（2）和晶片（1），前述的晶片（1）、初始絕緣層（2）、下部電極層（3）、電介層（4）、上部電極層（5）疊成的層狀結構的兩個相對的、經S10、S11步驟切割、蝕刻后的側邊分別嵌入到兩側的外部電極（7）內；

其特征在于：所述的上部電極層（5）和晶片（1）較初始絕緣層（2）、下部電極層（3）以及電介層（4）嵌入外部電極的部分更長；所述的下部電極層（3）和晶片（1）較初始絕緣層（2）、上部電極層（3）以及電介層（4）嵌入另一側的外部電極的部分更長。

3.根據權利要求1或2所述的干式積層陶瓷電容器的外部電極制造方法，其特征在于：所述的電極層切割前其上電極單元的布局，是按照沿同一直線切割時只能切到上部電極層上的電極單元Ⅰ（8）而完全切不到下部電極層上的電極單元Ⅱ（9）；或者只能切到下部電極層上的電極單元Ⅱ（9）而完全切不到上部電極層上的電極單元Ⅰ（8）的要求排布。

4.根據權利要求3所述的干式積層陶瓷電容器的外部電極制造方法，其特征在于：所述的切到是指從電極單元的中間切開，而非從邊緣切割。

5.根據權利要求3所述的干式積層陶瓷電容器的外部電極制造方法，其特征在于：在所述的電極層切割步驟完成后，進行側面的蝕刻，由于電極單元不被蝕刻而其它層輕易即被蝕刻，故電極單元較其他層更長，從而突出了電極層。

6.根據權利要求3所述的干式積層陶瓷電容器的外部電極制造方法，其特征在于：將切割前的電極層上的電極單元的長度設計成切割后的電極單元兩兩連接起來的長度或更長一點。

7.根據權利要求3所述的干式積層陶瓷電容器的外部電極制造方法，其特征在于：電極層切割前其上電極單元的布局，最相鄰的兩個電極層的位置排布不相同，相隔一層電極層的兩個電極層的電極單元排布位置完全相同。