[發(fā)明專利]用于統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)抽取的統(tǒng)計(jì)計(jì)算

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310689280.7
• 申請(qǐng)日: 2013-12-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103869769A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 安德魯·S·方;約翰·C·小瓦爾考
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號(hào): G05B19/418
• 分類號(hào): G05B19/418
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 李獻(xiàn)忠

1.一種方法，其包括：

接收來(lái)自射頻（RF）系統(tǒng)的變量；

將所述變量傳播通過(guò)所述RF系統(tǒng)的模型；

針對(duì)所述變量對(duì)所述模型的輸出進(jìn)行計(jì)數(shù)以生成計(jì)數(shù)；

判定所述計(jì)數(shù)是否滿足計(jì)數(shù)閾值；

在判定出所述計(jì)數(shù)滿足所述計(jì)數(shù)閾值時(shí)，在所述模型的所述輸出處生成所述變量的統(tǒng)計(jì)值；以及

將所述統(tǒng)計(jì)值發(fā)送到所述RF系統(tǒng)以調(diào)節(jié)所述變量。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述變量包括功率、或頻率、或電壓量值、或電流量值、或復(fù)電壓與復(fù)電流之間的相位、或復(fù)電流、或復(fù)電壓、或其組合。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述RF系統(tǒng)包括RF發(fā)生器。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述模型是計(jì)算機(jī)生成的模型，其中傳播所述變量通過(guò)所述模型包括生成所述變量的值和與所述模型的部分相關(guān)聯(lián)的變量值的方向和。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述輸出包括所述變量的多個(gè)值。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述統(tǒng)計(jì)值包括所述值的移動(dòng)四分位數(shù)間距、或所述值的四分位數(shù)間距、或所述值的最大值、或所述值的最小值、或所述值的均值、或所述值的中值、或所述值的方差、或所述值的標(biāo)準(zhǔn)差、或所述值的移動(dòng)均值、或所述值的移動(dòng)中值、或所述值的移動(dòng)方差、或所述值的移動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)差、或所述值的模、或所述值的移動(dòng)模、或其組合。

7.一種方法，其包括：

接收來(lái)自射頻（RF）發(fā)生器的與變量相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)，所述RF發(fā)生器被配置為產(chǎn)生待經(jīng)由阻抗匹配電路供給到等離子體腔室的RF信號(hào)，所述變量與RF系統(tǒng)相關(guān)聯(lián)，所述RF系統(tǒng)包括所述RF發(fā)生器、阻抗匹配電路以及所述等離子體腔室；

基于所接收到的數(shù)據(jù)生成從計(jì)算機(jī)生成模型輸出的值；

對(duì)從所述計(jì)算機(jī)生成模型輸出的所述值的量進(jìn)行計(jì)數(shù)；

判定所述量是否超過(guò)計(jì)數(shù)閾值；

響應(yīng)于判定出所述量超過(guò)所述計(jì)數(shù)閾值，根據(jù)從所述計(jì)算機(jī)生成模型輸出的所述值來(lái)生成統(tǒng)計(jì)值；

將所述統(tǒng)計(jì)值發(fā)送到所述RF發(fā)生器以調(diào)節(jié)由所述RF發(fā)生器產(chǎn)生的所述RF信號(hào)。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中經(jīng)調(diào)節(jié)的所述RF信號(hào)經(jīng)由RF電纜、所述阻抗匹配電路和RF傳輸線被提供給所述等離子體腔室，其中所述RF電纜將所述RF發(fā)生器與所述阻抗匹配電路耦合，其中所述RF傳輸線將所述阻抗匹配電路與所述等離子體腔室耦合。

9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述變量包括功率、或頻率、或電壓量值、或電流量值、或復(fù)電壓與復(fù)電流之間的相位、或復(fù)電流、或復(fù)電壓或其組合。

10.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述阻抗匹配電路將負(fù)載的阻抗與源的阻抗匹配，其中所述源包括所述RF發(fā)生器以及將所述RF發(fā)生器與所述阻抗匹配電路耦合的RF電纜，其中所述負(fù)載包括所述等離子體腔室以及RF傳輸線，所述RF傳輸線將所述等離子體腔室與所述阻抗匹配電路耦合。

11.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述等離子體腔室包括卡盤和朝向所述卡盤的上電極。

12.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述變量包括在等離子體系統(tǒng)內(nèi)的點(diǎn)處的復(fù)電壓和電流。

13.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述量包括值的數(shù)量，其中所述統(tǒng)計(jì)值包括所述值的移動(dòng)四分位數(shù)間距、或所述值的四分位數(shù)間距、或所述值的最大值、或所述值的最小值、或所述值的均值、或所述值的中值、或所述值的方差、或所述值的標(biāo)準(zhǔn)差、或所述值的移動(dòng)均值、或所述值的移動(dòng)中值、或所述值的移動(dòng)方差、或所述值的移動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)差、或所述值的模、或所述值的移動(dòng)模、或其組合。

14.如權(quán)利要求7所述的方法，還包括抽取在生成所述統(tǒng)計(jì)值之后所接收到的所述數(shù)據(jù)。

15.如權(quán)利要求7所述的方法，其中生成在所述計(jì)算機(jī)生成模型的所述輸出處的所述值包括將所接收到的數(shù)據(jù)傳播通過(guò)所述計(jì)算機(jī)生成模型的部分。