[發明專利]單晶硅直拉法熱屏調整工藝

有效

• 申請號: 201310689227.7
• 申請日: 2013-12-16
• 公開（公告）號: CN103668440B
• 公開（公告）日: 2017-10-03
• 發明（設計）人: 小暮康弘;賀賢漢;彭海鵬;王漢君
• 申請（專利權）人: 上海申和熱磁電子有限公司
• 主分類號: C30B15/20
• 分類號: C30B15/20;C30B29/06
• 代理公司: 上海順華專利代理有限責任公司31203
• 代理人: 沈履君

技術領域

本發明屬于半導體制造領域，特別是一種對于籽晶浸入熔體過程中熱屏調整的工藝。

背景技術

籽晶浸入熔體的過程，在常規工藝下待熔體溫度穩定后，將籽晶充分預熱與熔體接觸，因為<111>、<100>單晶的滑移面與生長方向有足夠大的夾角，所以比較容易將位錯或滑移線排除晶體實現無位錯單晶拉制；<110>單晶的滑移面與生長方向平行，位錯不易通過引晶階段的縮頸工藝排除。

發明內容

本發明的目的在于提供一種在籽晶浸入熔體過程中減少位錯的產生的單晶硅直拉法熱屏調整工藝。

為解決上述技術問題，本發明單晶硅直拉法熱屏調整工藝，包括如下步驟：

第一步，當化料完成并且溫度穩定后熱屏下降，此時熱屏底端和坩堝內硅液表面的距離為10毫米～30毫米；

第二步，熱屏升高，此時熱屏底端和坩堝內硅液表面的距離為130毫米～200毫米，待溫度穩定后開始籽晶浸入熔體的過程；

第三步，籽晶浸入熔體過程完成后，熱屏下降，此時熱屏底端和坩堝內硅液表面的距離為10毫米～30毫米。

本發明單晶硅直拉法熱屏調整工藝通過熱屏懸掛系統對熱屏的底端和硅液表面的距離值（GAP值）進行調整以達到抑制熱沖擊的目的，在籽晶浸入熔體前調整熱屏的位置，減弱液面上下的溫度差，從而減弱熱沖擊，抑制或降低新位錯的產生。

具體實施方式

本發明單晶硅直拉法熱屏調整工藝，化料完成，待溫度穩定后，下降熱屏至引晶位置，此時熱屏底端和坩堝內硅液表面的距離為10毫米～30毫米，并根據熱屏位置調整堝位至引晶位置。待坩堝調整完成后，升高熱屏，此時熱屏底端和坩堝內硅液表面的距離為130毫米～200毫米，待溫度穩定后開始籽晶浸入熔體的過程。待溫度穩定后開始籽晶浸入熔體的過程完成后，將熱屏降回至離坩堝內硅液表面的距離為10毫米～30毫米的位置，穩定溫度，為引晶做準備。

本發明單晶硅直拉法熱屏調整工藝通過熱屏懸掛系統對熱屏的底端和硅液表面的距離值（GAP值）進行調整以達到抑制熱沖擊的目的，在籽晶浸入熔體前調整熱屏的位置，減弱液面上下的溫度差，從而減弱熱沖擊，抑制或降低新位錯的產生。

以上已對本發明創造的較佳實施例進行了具體說明，但本發明創造并不限于所述實施例，熟悉本領域的技術人員在不違背本發明創造精神的前提下還可作出種種的等同的變型或替換，這些等同的變型或替換均包含在本申請權利要求所限定的范圍內。