[發(fā)明專利]一種柵跟隨輸入輸出電路在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310689170.0 | 申請(qǐng)日： | 2013-12-16 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104716938A | 公開（公告）日： | 2015-06-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 吳志遠(yuǎn);胡偉平;康海容 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 深圳市國(guó)微電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H03K17/687 | 分類號(hào)： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237 | 代理人： | 張全文 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 跟隨 輸入輸出 電路 | ||
1.一種柵跟隨輸入輸出電路，具有輸入輸出端，包括輸出前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路、輸出級(jí)電路、輸入級(jí)電路以及靜電釋放電路，其特征在于，還包括：
浮動(dòng)偏置電路，與輸出級(jí)電路包含的MOS管的襯底連接，當(dāng)所述輸入輸出端為接收模式時(shí)，調(diào)整所述MOS管的襯底的電壓以防止產(chǎn)生所述輸入輸出端向所述MOS管的襯底的漏電流；
柵跟隨電路，輸入端接輸出級(jí)電路的輸出端和所述輸入輸出端，第一控制端和第二控制端分別接所述浮動(dòng)偏置電路的受控端和所述輸出級(jí)電路的受控端，輸出端和保護(hù)信號(hào)端分別接所述輸入級(jí)電路的輸入端和所述靜電釋放電路的受控端，當(dāng)所述輸入輸出端為接收模式，且所述輸入輸出端接入的電信號(hào)從高電壓變化至低電壓時(shí)，對(duì)所述輸入輸出端接入的、具有高電壓的電信號(hào)進(jìn)行放電，根據(jù)放電時(shí)或放電后的電信號(hào)的電壓控制所述浮動(dòng)偏置電路調(diào)整所述MOS管的襯底的電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的柵跟隨輸入輸出電路，其特征在于，所述柵跟隨電路包括：
第一PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十四NMOS管、第九反相器，第十反相器，第十一反相器以及第一電阻；
所述第一PMOS管的源極為所述柵跟隨電路的輸入端，所述第一PMOS管的柵極和漏極分別接電源和所述第四NMOS管的柵極，所述MOS管的襯底包含所述第一PMOS管的襯底，所述第一PMOS管的漏極為所述柵跟隨電路的第一控制端、第二控制端以及保護(hù)信號(hào)端，所述第四NMOS管的源極和漏極分別接電源和所述第九反相器的輸入端，所述第三NMOS管的源極、柵極以及漏極分別接所述第一PMOS管的漏極、電源以及所述第九反相器的輸入端，所述第五NMOS管的漏極、柵極以及源極分別接所述第一PMOS管的漏極、所述第九反相器的輸出端以及所述第七NMOS管的漏極，所述第六NMOS管的漏極、柵極以及源極分別接所述第一PMOS管的漏極、電源以及所述第七NMOS管的漏極，所述第七NMOS管的柵極和源極分別接電源和地，所述第十反相器的輸入端和輸出端分別接所述第九反相器的輸出端和所述第八NMOS管的柵極，所述第八NMOS管的漏極和源極分別接所述第一PMOS管的漏極和所述第九NMOS管的漏極，所述第九NMOS管的柵極和源極分別接所述第十一反相器的輸出端和地，所述第十四NMOS管的漏極、柵極以及源極分別接所述第十一反相器的輸入端、電源以及所述第一電阻的第一端，所述第十四NMOS管的漏極為所述柵跟隨電路的輸出端，所述第一電阻的第二端接所述第一PMOS管的源極。
3.如權(quán)利要求1所述的柵跟隨輸入輸出電路，其特征在于，所述浮動(dòng)偏置電路包括：
第八PMOS管和第九PMOS管；
所述第八PMOS管的柵極為所述浮動(dòng)偏置電路的受控端，所述第八PMOS管的漏極和源極分別接電源和所述第九PMOS管的源極，所述第八PMOS管的源極和所述第九PMOS管的源極均接所述MOS管的襯底，所述第八PMOS管的襯底接所述第八PMOS管的源極，所述第九PMOS管的襯底接所述第九PMOS管的源極，所述第九PMOS管的漏極和柵極分別接所述第八PMOS管的柵極和電源。
4.如權(quán)利要求1所述的柵跟隨輸入輸出電路，其特征在于，所述靜電釋放電路包括：
第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十五NMOS管、第十六NMOS管以及第十七NMOS管；
所述第十二PMOS管的源極和襯底均接電源，所述第十二PMOS管的柵極和漏極分別接地和所述第十一PMOS管的柵極，所述第十一PMOS管的源極和漏極分別接電源和第十PMOS管的源極，所述MOS管的襯底包含所述第十一PMOS管的襯底和所述第十PMOS管的襯底，所述第十PMOS管的柵極為所述靜電釋放電路的受控端，所述第十PMOS管的漏極接所述輸入輸出端，所述第十七NMOS管的漏極、柵極以及源極分別接所述第十PMOS管的漏極、電源以及所述第十六NMOS管的漏極，所述第十五NMOS管的漏極、柵極以及源極分別接所述第十六NMOS管的源極、電源以及地，所述第十六NMOS管的源極接地。
5.如權(quán)利要求1所述的柵跟隨輸入輸出電路，其特征在于，所述輸出級(jí)電路包括：
第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管以及第二NMOS管；
所述第二PMOS管的源極、柵極以及漏極分別接電源、所述輸出前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路的第一輸出端（PO1）以及所述第三PMOS管的源極，所述第三PMOS管的柵極為所述輸出級(jí)電路的受控端，所述第一NMOS管的漏極、柵極以及源極分別接所述第三PMOS管的漏極、電源以及所述第二NMOS管的漏極，所述第二NMOS管的柵極和源極分別接所述輸出前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路的第二輸出端（PO2）以及地。
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