[發(fā)明專利]擊穿電壓增加的金屬氧化物半導(dǎo)體器件

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201310687279.0
• 申請日: 2013-12-13
• 公開（公告）號: CN103872135A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 伊藤明
• 申請（專利權(quán)）人: 美國博通公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 田喜慶

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一阱，嵌入在半導(dǎo)體襯底中；

第二阱，嵌入在所述半導(dǎo)體襯底中；以及

分離結(jié)構(gòu)，嵌入在所述半導(dǎo)體襯底中，將所述第一阱和所述第二阱分離，使得所述第一阱和所述第二阱彼此不接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述分離結(jié)構(gòu)包括分離阱，所述分離阱包括將所述第一阱和所述第二阱分離的側(cè)壁。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一阱包括源極區(qū)并且所述第二阱包括漏極區(qū)；并且其中，所述半導(dǎo)體器件還包括被設(shè)置在所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)之間的柵極區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，

其中，所述第一阱被注入有第一導(dǎo)電類型的材料；以及

其中，所述第二阱和所述分離阱被注入有第二導(dǎo)電類型的材料，所述第一導(dǎo)電類型為p型并且所述第二導(dǎo)電類型為n型，并且其中，所述分離結(jié)構(gòu)具有大于所述第一阱和所述第二阱的深度的深度。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述分離結(jié)構(gòu)包括深N阱，所述深N阱的n型材料濃度低于所述第二阱的n型材料濃度，其中，所述側(cè)壁具有大于或等于0.2μm的厚度。

6.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一阱，被嵌入到半導(dǎo)體襯底中并且包括源極區(qū)；

第二阱，在所述半導(dǎo)體襯底的上方并且包括漏極區(qū)；

柵極區(qū)，被設(shè)置在所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)之間并且具有柵極長度；以及

分離壁，將所述第一阱和所述第二阱分離，所述分離壁具有壁厚度，

其中，所述第一阱和所述第二阱之間的距離大于或等于所述壁厚度并小于所述柵極長度。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，還包括深度大于所述第一阱和所述第二阱的深度的深N阱，所述深N阱包括所述分離壁。

8.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

將第一阱嵌入到半導(dǎo)體襯底中；

將第二阱嵌入到所述半導(dǎo)體襯底中；以及

在所述半導(dǎo)體襯底中制造分離結(jié)構(gòu)，所述分離結(jié)構(gòu)將所述第一阱和所述第二阱分離，使得所述第一阱和所述第二阱彼此不接觸。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括：

分別在所述第一阱和所述第二阱中嵌入源極區(qū)和漏極區(qū)；

嵌入設(shè)置在所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)之間的柵極區(qū)；

在所述源極區(qū)、所述漏極區(qū)和所述柵極區(qū)上嵌入硅化物區(qū)域。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，在所述半導(dǎo)體襯底中制造分離結(jié)構(gòu)包括：

嵌入n型材料濃度低于所述第二阱的n型材料濃度的深N阱。