[發明專利]一種高質量高速度單晶金剛石薄膜的生長方法有效
| 申請號： | 201310682686.2 | 申請日： | 2013-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN103710748A | 公開（公告）日： | 2014-04-09 |
| 發明（設計）人： | 王宏興 | 申請（專利權）人： | 王宏興 |
| 主分類號： | C30B29/04 | 分類號： | C30B29/04;C30B25/16 |
| 代理公司： | 陜西增瑞律師事務所 61219 | 代理人： | 張瑞琪 |
| 地址： | 710049 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 質量 高速度 金剛石 薄膜 生長 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種高質量高速度單晶金剛石薄膜的生長方法，其特征在于，包括：
在置于沉積腔中的單晶金剛石襯底表面上通過微波等離子體氣相沉積方法在生長溫度一定的條件下外延生長單晶金剛石薄膜，在沉積腔中導入反應氣體，反應氣體包括甲烷、氫氣、氮氣和氧氣，其中，氮氣和氧氣的導入方式為交替導入。
2.根據權利要求1所述的一種高質量高速度單晶金剛石薄膜的生長方法，其特征在于，交替導入具體方法是：導入1個單位時間的氮氣后，導入0.1-1個單位時間的氧氣，1個單位時間為1分鐘至30分鐘。
3.根據權利要求1或2所述的一種高質量高速度單晶金剛石薄膜的生長方法，其特征在于，還包括：控制金剛石生長表面的溫度，以使所述金剛石生長表面的溫度梯度少于20℃。
4.根據權利要求3所述的一種高質量高速度單晶金剛石薄膜的生長方法，其特征在于，其中，導入甲烷的氣流量為20-200Sccm,氫氣為500-1000Sccm,氮氣的流量為0.1-6Sccm，氧氣的流量為0.04-6Sccm。
5.根據權利要求4所述的一種高質量高速度單晶金剛石薄膜的生長方法，其特征在于，所述生長溫度是800-1250℃，沉積腔中的氣壓為80-200Torr。
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