[發明專利]一種高屏蔽準平面傳輸線的制作方法

無效

• 申請號: 201310682647.2
• 申請日: 2013-12-12
• 公開（公告）號: CN103730712A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發明（設計）人: 馬子騰;劉金現;陰磊;許延峰
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十一研究所
• 主分類號: H01P11/00
• 分類號: H01P11/00
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246
• 代理人: 龔燮英

技術領域

本發明屬于平面傳輸線制作技術領域，尤其涉及的是一種高屏蔽準平面傳輸線的制作方法。

背景技術

在涉及到微波頻率的各類傳輸線中，平面傳輸線因其開放式結構，便于在微波集成電路中集成，得以廣泛的應用。經常使用的平面傳輸線有微帶線、懸帶線、槽線、共面波導以及背面接地的共面波導，如圖1所示，圖1中是最具有代表的微帶線結構，中間是介質基片，底層是接地金屬層，上層是金屬導帶，微波信號在上層金屬導帶中進行傳播。其上層空間是開放的，信號會在傳播中產生輻射。

平面傳輸線制作工藝簡單、成本低，容易與其它器件集成，但其場結構都是半開放性質的，存在輻射效應，在微波模塊中集成后，封裝在一起的電路之間不可避免存在串擾，給電磁兼容工作及信號完整性帶來挑戰，隨著集成度及信號工作頻率的提高，該現象愈發嚴重。

波導、同軸線等傳輸線的場結構為閉合式的，雖然避免了輻射效應，但其制作成本高，難以與其它器件進行集成，使用場合受到了限制。

因此，現有技術存在缺陷，需要改進。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是針對現有技術的不足，提供一種高屏蔽準平面傳輸線的制作方法。

本發明的技術方案如下：

一種高屏蔽準平面傳輸線的制作方法，其中，包括以下步驟：

步驟101、采用激光切割的方法加工介質基片，預先在金屬接地層位置形成通孔；

步驟102、采用真空濺射的方法實現介質基片表面與通孔內的金屬化膜層；

步驟103、采用光刻工藝形成共面波導圖形，并電鍍加厚,形成電鍍層；

步驟104、采用光刻工藝在導帶上方形成絕緣介質層；

步驟105、采用真空濺射的方法在介質層上方形成金屬化膜層；

步驟106、采用光刻工藝在介質層上方形成金屬連接層，并電鍍加厚,形成電鍍層；

步驟107、使用砂輪劃切的方法分割成獨立圖形。

所述的制作方法，其中，所述步驟101中，所述介質基片的材料為純度99.6%-100%的氧化鋁基片或純度98%的氮化鋁基片或藍寶石基片；所述介質基片的厚度為：0.1mm～1mm；所述介質基片的平面尺寸為50.8mm×50.8mm。

所述的制作方法，其中，所述介質基片的厚度為0.254mm。

所述的制作方法，其中，所述步驟101中，所述通孔為矩形；所述激光源波長為355nm或532nm或1064nm。

所述的制作方法，其中，所述步驟102和105中，所述金屬化膜層結構為鈦鎢金結構，其中鈦與鎢質量比為1：9；

所述的制作方法，其中，所述步驟103和106中，所述光刻工藝的具體步驟依次為：在基片上涂膠、前烘、曝光、顯影、后烘、刻蝕、去膠；所述涂膠時所使用的光刻膠為RZJ-390型正性光刻膠；所述涂膠的方法是旋轉涂覆法或超聲噴霧涂覆法。

所述的制作方法，其中，所述步驟103和106中，所述電鍍采用的是直流電鍍金，電流密度為1～10mA/cm2，電鍍溶液的成分為質量分數8%-12%氰化亞金鉀，余量為水；所述電鍍層的厚度為1～10μm。

所述的制作方法，其中，所述步驟104中，所述絕緣介質層為聚酰亞胺；所述光刻工藝的具體步驟依次為：在基片上涂覆聚酰亞胺膠、前烘、曝光、顯影、后烘；所述聚酰亞胺層厚度范圍為1～10μm。

采用上述方案，基于薄膜光刻工藝制作，具有類同軸線結構，屬于準平面傳輸線。它與波導、同軸線等傳輸線相比，制作工藝更為簡單，更容易與普遍使用的微帶線、共面波導等平面傳輸線相集成；與微帶線、共面波導等平面傳輸線相比，更能夠有效地避免信號串擾等平面傳輸線工作中所存在的問題。

附圖說明

圖1為現有技術中平面傳輸線的結構示意圖。

圖2為本發明平面傳輸線制作方法流程圖。

圖3為本發明實現步驟101的工藝圖。

圖4為本發明實現步驟102的工藝圖。

圖5為本發明實現步驟103的工藝圖。

圖6為本發明實現步驟104的工藝圖。

圖7為圖6的正視圖。

圖8為本發明實現步驟105的工藝圖。

圖9為本發明實現步驟106的工藝圖。

圖10為本發明實現步驟107的工藝圖。

具體實施方式

以下結合附圖和具體實施例，對本發明進行詳細說明。

實施例1

如圖2所示，本發明提供的一種高屏蔽準平面傳輸線的制作方法的流程，主要步驟包括：