[發明專利]一種高屏蔽準平面傳輸線的制作方法

無效

• 申請號: 201310682647.2
• 申請日: 2013-12-12
• 公開（公告）號: CN103730712A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發明（設計）人: 馬子騰;劉金現;陰磊;許延峰
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十一研究所
• 主分類號: H01P11/00
• 分類號: H01P11/00
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246
• 代理人: 龔燮英

1.一種高屏蔽準平面傳輸線的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：?

步驟101、采用激光切割的方法加工介質基片，預先在金屬接地層位置形成通孔；?

步驟102、采用真空濺射的方法實現介質基片表面與通孔內的金屬化膜層；?

步驟103、采用光刻工藝形成共面波導圖形，并電鍍加厚,形成電鍍層；?

步驟104、采用光刻工藝在導帶上方形成絕緣介質層；?

步驟105、采用真空濺射的方法在介質層上方形成金屬化膜層；?

步驟106、采用光刻工藝在介質層上方形成金屬連接層，并電鍍加厚,形成電鍍層；?

步驟107、使用砂輪劃切的方法分割成獨立圖形。?

2.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步驟101中，所述介質基片的材料為純度99.6%-100%的氧化鋁基片或純度98%的氮化鋁基片或藍寶石基片；所述介質基片的厚度為：0.1mm～1mm；所述介質基片的平面尺寸為50.8mm×50.8mm。?

3.如權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述介質基片的厚度為0.254mm。?

4.如權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述步驟101中，所述通孔為矩形；所述激光源波長為355nm或532nm或1064nm。?

5.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步驟102和105中，所述金屬化膜層結構為鈦鎢金結構，其中鈦與鎢質量比為1：9。?

6.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步驟103和106中，所述光刻工藝的具體步驟依次為：在基片上涂膠、前烘、曝光、顯影、后烘、刻蝕、去膠；所述涂膠時所使用的光刻膠為RZJ-390型正性光刻膠；所述涂膠的方法是旋轉涂覆法或超聲噴霧涂覆法。?

7.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步驟103和106中，所述電鍍采用的是直流電鍍金，電流密度為1～10mA/cm²，電鍍溶液的成分為質量分數8%-12%氰化亞金鉀，余量為水；所述電鍍層的厚度為1～10μm。?

8.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步驟104中，所述絕緣介質層為聚酰亞胺；所述光刻工藝的具體步驟依次為：在基片上涂覆聚酰亞胺膠、前烘、曝光、顯影、后烘；所述聚酰亞胺層厚度范圍為1～10μm。?