[發(fā)明專利]一種柔性精密電阻器及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310681881.3
• 申請日: 2013-12-12
• 公開（公告）號: CN103680787A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 彭坤;劉開鋒;劉紅元
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州智權(quán)電子科技有限公司
• 主分類號: H01C17/00
• 分類號: H01C17/00;H01C7/00;H01C1/02
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246
• 代理人: 連平

技術(shù)領(lǐng)域：

本發(fā)明涉及電子元器件技術(shù)領(lǐng)域，具體地說是涉及一種柔性精密電阻器及其制備方法。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的精密貼片電阻大多采用片式電阻的生產(chǎn)工藝，在陶瓷基底上沉積合金電阻材料層，形成電極及保護(hù)層，其利用陶瓷與合金相結(jié)合組成高精密度、低溫漂系數(shù)的片式電阻器。中國專利CN201576518U、CN101872667A等即公開了幾種貼片電阻及其制造方法，這些片式電阻不具備柔性特征。

可查見的柔性電阻是基于柔性的絕緣膜上涂覆、印刷、沉積合金電阻層，如中國專利CN2777716Y公開了一種粘貼式柔性電阻，其是通過印刷方法在絕緣的薄膜上印刷高阻薄膜層，在高阻薄膜層一端或兩端印刷上導(dǎo)電膜，使高阻薄膜與導(dǎo)電膜相連，并且在絕緣薄膜反面涂敷或者貼上不干膠從而形成可粘貼的柔性電阻，但是該粘貼式柔性電阻無法達(dá)到高精密性、低溫度系數(shù)的效應(yīng)。

現(xiàn)有的柔性電阻主要是將金屬電阻體制作在柔性/可延性塑料或薄金屬基板上，在具備柔性的同時卻少能同時兼?zhèn)潆娮璧母呔苄约暗蜏仄禂?shù)等高性能特性。精密電阻被廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品之中，隨著柔性電子技術(shù)的發(fā)展，市場對具備柔性精密電阻的需求日益增長，因此，研制具有高精密度及低溫漂系數(shù)的柔性精密電阻也成為迫切需要。

發(fā)明內(nèi)容：

本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足之處，提供一種柔性精密電阻器及其制備方法，該柔型精密電阻器具有柔韌性良好、高精度以及低溫漂系數(shù)的優(yōu)點(diǎn)，適用于打線連接的集成電路產(chǎn)品。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的柔性精密電阻器的制備方法包括有如下步驟：

（1）、首先在襯底表面沉積一層犧牲層；

（2）、將可形成陶瓷纖維膜的凝膠可織性溶膠旋涂至犧牲層表面；

（3）、高溫煅燒凝膠可織性溶膠，形成第一陶瓷纖維層；

（4）、在陶瓷纖維層表面采用物理氣相或化學(xué)氣相沉積金屬或合金成分的電阻薄膜層；

（5）、再次將可形成陶瓷纖維膜的凝膠可織性溶膠旋涂至電阻薄膜層表面；

（6）、高溫煅燒凝膠可織性溶膠，形成第二陶瓷纖維層；

（7）、在第二陶瓷纖維層表面沉積保護(hù)層；

（8）、旋涂光刻膠并且光刻、干法刻蝕將電阻圖形化，之后去除殘留光刻膠；

（9）、沉積鈍化保護(hù)層；

（10）、旋涂光刻膠并且光刻、干法刻蝕形成電極與電阻薄膜層的連接孔，之后去除殘留光刻膠；

（11）、在鈍化保護(hù)層表面以及連接孔內(nèi)部通過物理氣相或化學(xué)氣相沉積導(dǎo)電材料于連接孔至電阻薄膜層，形成電極及電極連接部；

（12）、去除襯底犧牲層。

作為上述技術(shù)方案的優(yōu)選，所述的犧牲層材料可以為鍺，或者是其它可以通過后續(xù)工藝加以去除的材料。

作為上述技術(shù)方案的優(yōu)選，步驟（2）和步驟（5）中所述的可形成陶瓷纖維膜的凝膠可織性溶膠可為沉積氧化鋁的鋁氧凝膠可織性溶膠，也可以是可形成其它陶瓷纖維膜的凝膠。

作為上述技術(shù)方案的優(yōu)選，所述的鋁氧凝膠可織性溶膠可采用如下比例、方法配置：將六水合氯化鋁3g、正硅酸四乙酯0.26ml、異丙醇鋁4.6g、無水乙醇8ml、冰醋酸0.8ml、鹽酸2ml、聚乙烯吡咯烷酮0.2g加去離子水?dāng)嚢柚镣该骷纯傻玫戒X氧凝膠可織性溶膠。

作為上述技術(shù)方案的優(yōu)選，步驟（3）和步驟（6）中所述的高溫煅燒凝膠可織性溶膠，形成氧化鋁陶瓷纖維層，也可以是可形成其它成分的陶瓷纖維；采用的高溫煅燒方法如下：先以2℃/min升溫到600℃，保溫120min，再以5℃/min升溫到800℃，恒溫120min，可得到γ-Al₂O₃纖維，然后直接將其放入1400℃高溫爐煅燒120min，可獲得α-Al₂O₃氧化鋁陶瓷纖維。

作為上述技術(shù)方案的優(yōu)選，步驟（4）中所述的電阻薄膜層可以是采用物理氣相沉積成分比例為50：50的CrNi合金，也可以是其它可提供高精度、低溫漂系數(shù)的金屬、合金材料。

作為上述技術(shù)方案的優(yōu)選，步驟（7）中所述的保護(hù)層可以為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等，也可以是其它無機(jī)、有機(jī)化合物薄膜層。

作為上述技術(shù)方案的優(yōu)選，步驟（9）中所述的鈍化保護(hù)層可以為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等，也可以是其它無機(jī)、有機(jī)化合物薄膜層。