[發明專利]一種基板的制作方法有效
| 申請號: | 201310681507.3 | 申請日: | 2013-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN103646852B | 公開(公告)日: | 2018-11-23 |
| 發明(設計)人: | 張鋒;惠官寶;曹占鋒;姚琪 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;G02F1/1335;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 制作方法 | ||
1.一種基板的制作方法,其特征在于,包括:
形成待處理層,在所述待處理層上形成遮光層,所述遮光層的材質為金屬,通過構圖工藝,形成所述遮光層的圖案;
其中,所述通過構圖工藝,形成所述遮光層的圖案包括:
在所述遮光層上涂覆光刻膠,使用掩膜板遮蓋進行曝光,經過顯影、刻蝕后,形成所述遮光層的圖案;
利用所述遮光層的圖案作為掩膜板對所述待處理層進行構圖工藝;
去除所述遮光層和所述光刻膠;
所述待處理層為黑色感光樹脂,利用所述遮光層的圖案作為掩膜板對所述待處理層進行構圖工藝之后,所述待處理層形成黑矩陣;或者,
所述待處理層為彩色感光樹脂,利用所述遮光層的圖案作為掩膜板對所述待處理層進行構圖工藝之后,所述待處理層形成彩色濾色層。
2.根據權利要求1所述的基板的制作方法,其特征在于,所述基板為彩膜基板,所述待處理層為黑色感光樹脂,所述制作方法還包括:
在所述基板上形成彩色濾色層;
在形成的所述黑矩陣和所述彩色濾色層上形成透明保護層。
3.根據權利要求1所述的基板的制作方法,其特征在于,所述基板為彩膜基板,所述待處理層為彩色感光樹脂,所述制作方法還包括:
在所述基板上形成黑矩陣;
在形成的所述黑矩陣和所述彩色濾色層上形成透明保護層。
4.根據權利要求1所述的基板的制作方法,其特征在于,所述基板為陣列基板,所述形成待處理層,在所述待處理層上形成遮光層,通過構圖工藝,形成所述遮光層的圖案之前,還包括:
在襯底基板上形成柵極金屬層,通過構圖工藝,形成包括柵線和柵極的圖形;
在形成的包括所述柵線和所述柵極的圖形上,形成柵極絕緣層;
在形成的所述柵極絕緣層上,形成半導體薄膜,通過構圖工藝形成包括有源層的圖形;
在形成的包括所述有源層的圖形上,形成源極金屬層,通過構圖工藝,形成包括數據線和源極的圖形;
在形成的包括所述數據線和所述源極的圖形上,形成鈍化層。
5.根據權利要求4所述的基板的制作方法,其特征在于,所述待處理層為黑色感光樹脂,在所述去除所述遮光層之后,還包括:
在形成的所述黑矩陣以及所述鈍化層上形成對應于漏極的過孔;
形成透明導電層,通過構圖工藝,形成包括像素電極的圖形,所述像素電極通過所述過孔與所述漏極電連接;或者,
所述待處理層為彩色感光樹脂,在所述去除所述遮光層之后,還包括:
在形成的所述黑矩陣以及所述鈍化層上形成對應于漏極的過孔;
形成透明導電層,通過構圖工藝,形成包括像素電極的圖形,所述像素電極通過所述過孔與所述漏極電連接。
6.根據權利要求1所述的基板的制作方法,其特征在于,
使用刻蝕的方法去除所述遮光層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





