[發(fā)明專利]電阻型隨機存取存儲器和用于控制制造導電元件和阻性元件對應的亞分辨率特征的方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201310680704.3
• 申請日: 2013-12-12
• 公開（公告）號: CN103872246A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發(fā)明（設計）人: P·蘇塔德加;A·吳;常潤滋;W·李;P·李
• 申請（專利權(quán)）人: 馬維爾國際貿(mào)易有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 酆迅

1.一種用于制造存儲器的方法，所述方法包括：

形成阻性層的堆疊；

在形成所述阻性層的堆疊之前或之后，形成導電層；

在(i)所述阻性層的堆疊或(ii)所述導電層上應用掩膜層；

在所述掩膜層上形成第一間隔件，其中所述第一間隔件是環(huán)形的，并且其中形成所述第一間隔件包括：

使用化學或氣相沉積在所述掩膜層上應用第一組薄膜層，其中所述第一組薄膜層包括第一薄膜層和第二薄膜層，其中所述第一薄膜層僅形成在所述掩膜層的一部分上，其中所述第二薄膜層形成在所述掩膜層和所述第一薄膜層上，并且其中所述第二薄膜層由與所述第一薄膜層不同的材料形成；并且

蝕刻所述第一組薄膜層，以提供所述第一間隔件；

使用所述第一間隔件作為第一掩膜來蝕刻掉所述掩膜層的第一部分，以提供剩余部分，其中所述剩余部分是環(huán)形的；

在(i)所述阻性層的堆疊或所述導電層上和(ii)所述掩膜層的剩余部分上形成第二間隔件，其中所述第二間隔件是環(huán)形的；

使用所述第二間隔件蝕刻掉所述掩膜層的剩余部分的第二部分以第一次從所述掩膜層形成島形體；并且

使用所述島形體作為第二掩膜來(i)蝕刻所述阻性層的堆疊以形成存儲器的阻性元件，以及(ii)蝕刻所述導電層以形成所述存儲器的導電元件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二間隔件的形成包括：

使用化學或氣相沉積在(i)所述掩膜層上和(ii)所述阻性層的堆疊或所述導電層上應用第二組薄膜層，其中所述第二組薄膜層包括第三薄膜層和第四薄膜層，其中所述第三薄膜層僅形成在所述導電層的一部分和所述掩膜層的一部分上，其中所述第四薄膜層形成在所述第三薄膜層和所述導電層的僅第二部分上，并且其中所述第四薄膜層由與所述第三薄膜層不同的材料形成；并且

蝕刻所述第二組薄膜層，以提供所述第二間隔件。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二間隔件的形成包括：

在(i)所述掩膜層上和(ii)所述阻性層的堆疊或所述導電層上應用多個薄膜層；并且

蝕刻所述多個薄膜層以提供所述第二間隔件。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

蝕刻掉所述掩膜層的剩余部分的所述第二部分，以形成多個島形體；并且

使用所述多個島形體作為多個掩膜，(i)蝕刻所述阻性層的堆疊以形成多個阻性元件，以及(ii)蝕刻所述導電層以形成多個導電元件。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，還包括：

在所述多個阻性元件和所述多個導電元件上方沉積隔離材料，以封裝(i)所述阻性元件的堆疊的一部分和(ii)所述多個導電元件的一部分；

通過蝕刻掉(i)所述多個島形體和(ii)所述隔離材料的一部分而暴露所述多個導電元件；并且

執(zhí)行金屬化，以形成連接所述多個導電元件中的兩個或更多個導電元件的互連。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在所述阻性元件和所述導電元件上方沉積隔離材料，以封裝(i)所述阻性元件的一部分和(ii)所述導電元件的一部分；并且

通過蝕刻掉(i)所述隔離材料的一部分和(ii)所述島形體而暴露所述導電元件。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

在存取器件上形成所述阻性層的堆疊；

所述存取器件包括晶體管和字線；

所述阻性元件包括第一電極和第二電極；

所述第一電極連接到所述晶體管的漏極；并且

所述第二電極連接到位線。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

在形成所述阻性層的堆疊之前形成所述導電層；并且

所述導電元件是觸點。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

在形成所述阻性層的堆疊之后形成所述導電層；并且

所述導電元件是通孔。