[發明專利]基板支撐裝置及基板處理裝置

有效

• 申請號: 201310680379.0
• 申請日: 2013-12-12
• 公開（公告）號: CN104711542A
• 公開（公告）日: 2015-06-17
• 發明（設計）人: 李大濬;崔亨燮;金容珍
• 申請（專利權）人: 圓益IPS股份有限公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458;H01L21/67;H01L21/687
• 代理公司: 北京青松知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11384
• 代理人: 鄭青松

技術領域

本發明作為涉及基板支撐裝置及基板處理裝置，更詳細的說為了在基板邊緣位置領域均勻的供給凈化氣體的基板支撐裝置及基板處理裝置。

背景技術

制造了層疊多種薄膜的半導體存儲器等各種電子元件。即，在基板上形成各種薄膜，并且使用照片蝕刻工序圖形化如同其形成的薄膜，形成元件構造。

薄膜根據材料具有導電膜、電介質膜、絕緣膜等，制造薄膜的方法也是多種多樣，制造薄膜的方法大致有物理性方法及化學性方法等。最近為了制造半導體元件，主要使用的是根據氣體的化學反應在基板上形成金屬、電介質、或絕緣體薄膜的化學氣相沉積(CVD:Chemical?vapor?deposition)。

以CVD方法在基板制造薄膜的情況，使基板配置在CVD裝置的腔室內部的基板支撐臺上，向腔室內部供給工序氣體，以其氣體反應制造薄膜。這種CVD方式為，在基板上的薄膜以所有方向形成的等向性沉積，在供給工序氣體的所有領域制造薄膜。若基板加載在CVD腔室內，基板的后面被支撐在基板支撐臺，則基板的前面及側面露出，因此在基板的前面及側面形成薄膜。另外，就算基板的后面接觸基板支撐臺，由于向基板的后面與基板支撐臺之間的縫隙滲透工序氣體，可在基板后面形成薄膜。

另一方面，半導體元件在基板前面的有效領域制造，在這種有效領域形成高品質的均勻的薄膜為最佳。另外，在基板的邊緣位置及后面形成的薄膜不僅不能運用為元件，附著在基板引起使基板整體或一部分不可用的污染物質，在基板的邊緣位置及在后面沉積的材料被剝離，引起粒子(particle)污染。即，剝離的材料發生為不希望的粒子，不當的附著在基板或使污染在腔室內部的多個位置引起。

就此，在基板支撐臺安裝基板，設置具有基板邊緣位置領域且屏蔽的遮蔽環，或在基板的下面側或邊緣位置供給凈化氣體，抑制或防止在這部分的薄膜沉積。

但是，就算設置遮蔽環，向基板與遮蔽環縫隙之間滲透工序氣體，存在不能有效抑制在基板的邊緣位置或后面形成薄膜的問題。另外，就算供給凈化氣體，基板的下面或邊緣位置凈化氣體不能均勻的供給，仍然存在在一部分領域形成薄膜的問題。

（先行技術文獻）

（專利文獻）

（專利文獻1）KR852098B

發明內容

(要解決的課題)

本發明提供的基板支撐裝置及基板處理裝置為，可使凈化氣體在基板的邊緣位置領域均勻的供給。

本發明提供的基板支撐裝置及基板處理裝置為，可防止在基板的邊緣位置及后面沉積薄膜。

(課題的解決方法)

根據本發明實施形態的基板支撐裝置，包括：基板支撐體，安裝基板；及保護環，設置在所述基板支撐體上，形成在高于所述基板支撐體的上面的位置，使氣體向所述基板噴射的流通渠道。

所述保護環，也可包括：環形態的第1機體；第2機體，從所述第1機體向內側方向延長形成；第1流通渠道，一端與所述第2機體的下面連接，由此向上部方向延長形成；及第2流通渠道，與所述第1流通渠道的其他端連接，向內側方向延長形成。

另外，所述保護環的特征在于，包括：下部環，具有環形態的機體且與所述機體的下面連接，由此向上部方向延長形成的第1流通渠道，及與所述第1流通渠道的其他端連接，向內側方向延長形成的第2流通渠道；及上部環，設置在所述下部環上，在與所述下部環的內側面之間，形成與所述第2流通渠道連接的第3流通渠道，所述流通渠道，包括所述第1流通渠道、所述第2流通渠道、所述第3流通渠道。

所述第1及第2流通渠道，根據所述下部環的圓周方向也可形成多個。

所述第1流通渠道，垂直貫通所述下部環的機體形成，所述第2流通渠道，也可在所述機體的上面形成為凹陷的槽。

所述第2機體，在內側面的至少一部分形成，也可具有向下傾斜的傾斜面。

所述傾斜面，也可具有45°至80°的傾斜。

所述第1機體，也可具有在其上面凹陷形成的至少一個以上的結合槽。

所述保護環與所述基板支撐體之間，形成通過氣體的主渠道，并且所述主渠道也可與所述流通渠道連接。

所述主渠道，也可與在所述第1流通渠道及所述保護環的下面邊緣位置領域，與所述基板支撐體的側面之間形成的第4流通渠道連接。

所述基板支撐體，具有在內部通過氣體的氣體通道，所述氣體通道也可與所述主渠道連接。

所述下部環，具有在上面凹陷形成的結合槽。所述上部環，也可具有在下面對應所述結合槽的結合凸起。