[發(fā)明專利]薄膜晶體管基板及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310675940.6
• 申請日: 2013-12-13
• 公開（公告）號: CN103681487A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高金字;陸文正
• 申請（專利權(quán)）人: 華映視訊（吳江）有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 上海漢聲知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31236
• 代理人: 胡晶

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種薄膜晶體管基板及其制造方法，特別是有關(guān)于一種能避免金屬氧化物主動層在成膜完后不會受到環(huán)境中的水氣以及制程中的藥液所污染的薄膜晶體管基板及其制造方法。

背景技術(shù)

隨著顯示科技的日益進步，人們藉著顯示器的輔助可使生活更加便利，為求顯示器輕、薄的特性，促使平面顯示器(FlAt?pAnEl?displAy,?FPD)成為目前的主流。在諸多平面顯示器中，液晶顯示器(liquid?CrystAl?displAy,?LCD)具有高空間利用效率、低消耗功率、無輻射以及低電磁干擾等優(yōu)越特性，因此，液晶顯示器深受消費者歡迎。特別是，在顯示器中被大量使用到的薄膜晶體管基板，其結(jié)構(gòu)設(shè)計或是材料的選擇更是會直接影響到產(chǎn)品的性能。

一般來說，薄膜晶體管基板中的薄膜晶體管至少具有柵極、源極、漏極以及信道層等構(gòu)件，其中可透過控制柵極的電壓來改變信道層的導(dǎo)電性，以使源極與漏極之間形成導(dǎo)通(開)或絕緣(關(guān))的狀態(tài)。信道層材質(zhì)大多為非晶硅(AmorpHous?siliCon,?A-Si)，但近幾年來因氧化銦鎵鋅(Indium?gAllium?zinC?oxidE,?IGZO)與非晶硅相比能夠縮小晶體管尺寸，提高液晶面板畫素的開口率，較易實現(xiàn)分辨率高出一倍，電子遷移率快十倍，因此有逐漸取代該非晶硅的趨勢。

然而，氧化銦鎵鋅(IGZO)在成膜、微影、蝕刻等制程完成后，會進入剝膜制程，將附著在氧化銦鎵鋅上的光阻剝除，此時氧化銦鎵鋅(IGZO)的表面由于沒有光阻保護，容易受到環(huán)境中的水氣、剝膜制程中的藥液所污染，對于氧化銦鎵鋅(IGZO)的電性影響很大。

因此，便有需要提供一種能避免環(huán)境中的水氣以及制程中的藥液污染氧化銦鎵鋅的薄膜晶體管基板及其制造方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種不會受到環(huán)境中的水氣以及制程中的藥液所污染的薄膜晶體管基板及其制造方法。

為達成上述目的，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管基板的制造方法，包括下列步驟：提供一基板；形成一柵極于該基板上；形成一柵極保護層于該基板上，并覆蓋該柵極；形成一金屬氧化物層于該柵極保護層上；形成一絕緣材料層于該金屬氧化物層上；移除部份的該金屬氧化物層及部份的該絕緣材料層，而分別形成一金屬氧化物主動層及一金屬氧化物保護層；形成一第一貫孔及一第二貫孔，該第一貫孔及該第二貫孔裸露出該金屬氧化物主動層的上表面，并貫穿該金屬氧化物保護層；以及分別設(shè)置一源極及一漏極于該第一貫孔及該第二貫孔內(nèi)，用以電性連接該金屬氧化物主動層。

為達成上述目的，本發(fā)明再提供一種薄膜晶體管基板的制造方法，包括下列步驟：提供一基板；形成一柵極于該基板上；形成一柵極保護層于該基板上，并覆蓋該柵極；形成一金屬氧化物層于該柵極保護層上；形成一光阻圖案于該金屬氧化物層上，并位在該柵極的正上方；以該光阻圖案為罩幕，移除部份的該金屬氧化物層，而形成一金屬氧化物主動層；移除該第一光阻圖案；形成一蝕刻終止層于該柵極保護層上，并覆蓋該金屬氧化物主動層；形成一第一貫孔及一第二貫孔，該第一貫孔及該第二貫孔裸露出該金屬氧化物主動層的上表面，并貫穿該蝕刻終止層；以及分別設(shè)置一源極及一漏極于該第一貫孔及該第二貫孔內(nèi)，用以電性連接該金屬氧化物主動層。

為達成上述目的，本發(fā)明又提供一種薄膜晶體管基板，包括：一基板；以及復(fù)數(shù)個薄膜晶體管，各該薄膜晶體管包括：一柵極，設(shè)置于該基板上；一柵極保護層，設(shè)置于該基板上，并覆蓋該柵極；一金屬氧化物主動層，設(shè)置于該柵極保護層上；一金屬氧化物保護層，設(shè)置于該金屬氧化物主動層上；一蝕刻終止層，設(shè)置于該金屬氧化物保護層上，其中一第一貫孔及一第二貫孔貫穿該蝕刻終止層及該金屬氧化物保護層；一源極及一漏極，分別設(shè)置于該第一貫孔及該第二貫孔內(nèi)，并電性連接該金屬氧化物主動層。

本發(fā)明中所述的薄膜晶體管基板及其制造方法。金屬氧化物層成膜完后，隨即形成一層絕緣材料層作為保護層，之后在微影制程完后先以干蝕刻制程將光阻圖案覆蓋區(qū)域以外的絕緣材料層移除，以及利用濕蝕刻制程將光阻圖案覆蓋區(qū)域以外的金屬氧化物層移除。該絕緣材料層可確保金屬氧化物在成膜完后不會受到環(huán)境中的水氣以及制程中的藥液所污染。也可利用干式剝膜的方式，移除該金屬氧化物主動層上的光阻圖案，以避免剝膜制程中的藥液影響金屬氧化物主動層。

為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯，下文將配合所附圖示，作詳細說明如下。

附圖說明

圖1A-圖1H為本發(fā)明的第一實施例的薄膜晶體管基板的制造流程的剖面圖；