[發(fā)明專利]薄膜晶體管基板及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310675940.6
• 申請日: 2013-12-13
• 公開（公告）號: CN103681487A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高金字;陸文正
• 申請（專利權(quán)）人: 華映視訊（吳江）有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 上海漢聲知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31236
• 代理人: 胡晶

1.一種薄膜晶體管基板的制造方法，包括下列步驟：

提供一基板；

形成一柵極于該基板上；

形成一柵極保護層于該基板上，并覆蓋該柵極；

形成一金屬氧化物層于該柵極保護層上；

形成一絕緣材料層于該金屬氧化物層上；

移除部份的該金屬氧化物層及部份的該絕緣材料層，而分別形成一金屬氧化物主動層及一金屬氧化物保護層；

形成一第一貫孔及一第二貫孔，該第一貫孔及該第二貫孔裸露出該金屬氧化物主動層的上表面，并貫穿該金屬氧化物保護層；以及

分別設(shè)置一源極及一漏極于該第一貫孔及該第二貫孔內(nèi)，用以電性連接該金屬氧化物主動層。

2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，形成該金屬氧化物主動層及該金屬氧化物保護層的步驟還包括：

形成一第一光阻圖案于該絕緣材料層上，并位在該柵極的正上方；以及

以該第一光阻圖案為罩幕，移除部份的該絕緣材料層及部份的該金屬氧化物層，而分別形成該金屬氧化物保護層及該金屬氧化物主動層。

3.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，移除部份的該絕緣材料層的步驟為利用干蝕刻制程，以及移除部份的該金屬氧化物層的步驟為利用濕蝕刻制程。

4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，形成該金屬氧化物主動層及該金屬氧化物保護層的步驟還包括下列步驟：形成一蝕刻終止層于該柵極保護層上，并覆蓋該金屬氧化物保護層，其中該第一貫孔及該第二貫孔亦貫穿該蝕刻終止層及該金屬氧化物保護層。

5.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，該金屬氧化物保護層及該蝕刻終止層為相同材質(zhì)，且該柵極正上方的該金屬氧化物保護層及該蝕刻終止層所相加的厚度大于位在該柵極兩側(cè)的該蝕刻終止層的厚度。

6.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，形成該第一貫孔及該第二貫孔的步驟還包括下列步驟：

形成一第二光阻圖案于該柵極保護層上及部份的該金屬氧化物保護層上；

以該第二光阻圖案為罩幕，移除部份的該金屬氧化物保護層，而在該金屬氧化物主動層上形成該第一貫孔及該第二貫孔；以及

移除該第二光阻圖案。

7.一種薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，包括下列步驟：

提供一基板；

形成一柵極于該基板上；

形成一柵極保護層于該基板上，并覆蓋該柵極；

形成一金屬氧化物層于該柵極保護層上；

形成一光阻圖案于該金屬氧化物層上，并位在該柵極的正上方；

以該光阻圖案為罩幕，移除部份的該金屬氧化物層，而形成一金屬氧化物主動層；

移除該第一光阻圖案；

形成一蝕刻終止層于該柵極保護層上，并覆蓋該金屬氧化物主動層；

形成一第一貫孔及一第二貫孔，該第一貫孔及該第二貫孔裸露出該金屬氧化物主動層的上表面，并貫穿該蝕刻終止層；以及

分別設(shè)置一源極及一漏極于該第一貫孔及該第二貫孔內(nèi)，用以電性連接該金屬氧化物主動層。

8.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，移除該第一光阻圖案的步驟為利用干式剝膜制程。

9.一種薄膜晶體管基板，其特征在于，包括：

一基板；以及

復(fù)數(shù)個薄膜晶體管，各該薄膜晶體管包括：

一柵極，設(shè)置于該基板上；

一柵極保護層，設(shè)置于該基板上，并覆蓋該柵極；

一金屬氧化物主動層，設(shè)置于該柵極保護層上；

一金屬氧化物保護層，設(shè)置于該金屬氧化物主動層上；

一蝕刻終止層，設(shè)置于該金屬氧化物保護層上，其中一第一貫孔及一第二貫孔貫穿該蝕刻終止層及該金屬氧化物保護層；

一源極及一漏極，分別設(shè)置于該第一貫孔及該第二貫孔內(nèi)，并電性連接該金屬氧化物主動層。

10.如權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，該金屬氧化物保護層及該蝕刻終止層為相同材質(zhì)，且該柵極正上方的該金屬氧化物保護層及該蝕刻終止層所相加的厚度大于位在該柵極兩側(cè)的該蝕刻終止層的厚度。

11.如權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，該金屬氧化物主動層的材料為氧化銦鎵鋅，且該金屬氧化物保護層的厚度大于500埃。