[發(fā)明專利]借由蝕刻掩模多側(cè)的半導(dǎo)體設(shè)備分辨率增強(qiáng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310674054.1
• 申請日: 2013-12-11
• 公開（公告）號: CN103869597A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: G·寧;C·王;P·阿克曼;S·坦格拉朱
• 申請（專利權(quán)）人: 格羅方德半導(dǎo)體公司
• 主分類號: G03F1/26
• 分類號: G03F1/26;H01L21/768
• 代理公司: 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明關(guān)于半導(dǎo)體設(shè)備，且尤關(guān)于借由蝕刻掩模多側(cè)的半導(dǎo)體設(shè)備分辨率增強(qiáng)。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體裝置制造中，可例如利用供芯片堆棧使用的基底穿孔(through-substrate?via;TSV)達(dá)到三維(3D)整合。第一金屬(例如銅)層與接觸層之間的連接通孔對于達(dá)成此類整合是一種有用的方法，對20奈米(nm)以下的技術(shù)而言尤其如此。故期望對這些連接通孔達(dá)到最小間距(pitch)及最小關(guān)鍵尺寸(CD)而在接觸件與第一金屬層之間產(chǎn)生盡可能多的連接件。目前用于形成高密度(tightly?packed)連接通孔的作法是在雙圖案程序中使用兩個(gè)分劃板(reticle)，以便在金屬與TSV層之間完成期望的連接點(diǎn)(points?of?connectivity)。

對于在半導(dǎo)體裝置中提升通孔連接覆蓋率(coverage)所需要的是用于提供分辨率增強(qiáng)的更好設(shè)施。對此尤其有用的一種應(yīng)用是在半導(dǎo)體裝置的基底穿孔(TSV)頂部最大化通孔連接覆蓋率。

發(fā)明內(nèi)容

透過提供包括置于掩模第一側(cè)上的多個(gè)第一相移區(qū)；以及置于掩模第二側(cè)上的多個(gè)第二相移區(qū)的掩模，得以克服先前技術(shù)的缺點(diǎn)并且提供額外優(yōu)點(diǎn)。

另外，提供一種方法，包括例如形成置于掩模第一側(cè)上的多個(gè)第一相移區(qū)；以及形成置于掩模第二側(cè)上的多個(gè)第二相移區(qū)。

還有，提供一種半導(dǎo)體裝置制造方法，包括在半導(dǎo)體裝置中制造多個(gè)通孔，此制造包括取得包括例如置于掩模第一側(cè)上的多個(gè)第一相移區(qū)、和置于掩模第二側(cè)上的多個(gè)第二相移區(qū)的掩模；以及令掩模遭受電磁輻射的曝照，所述曝照對于將所述多個(gè)通孔印制在所述半導(dǎo)體裝置的基底上起作用(operative)。

另外的特征及優(yōu)點(diǎn)透過本發(fā)明的概念予以實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明的其它具體實(shí)施例及態(tài)樣是詳述于本文并且視為所主張發(fā)明專利權(quán)的一部分。

附圖說明

本發(fā)明的一或多個(gè)態(tài)樣予以特別指出并且清楚地主張作為本說明書權(quán)利要求中的實(shí)施例。本發(fā)明的前述及其它目的、特征、以及優(yōu)點(diǎn)經(jīng)由下文的詳細(xì)說明配合附圖將顯而易知，其中：

圖1是光刻系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例的概要圖；

圖2A是具有數(shù)組型蝕刻區(qū)用于在晶圓上生產(chǎn)數(shù)組型通孔布局的掩模的一個(gè)實(shí)施例；

圖2B是圖2A的掩模沿著劃線2A-2A’的剖面?zhèn)纫晥D；

圖2C是沿著劃線2A-2A’而取穿過圖2A的掩模的光的強(qiáng)度截面(intensity?profile)的示意圖；

圖3A是根據(jù)本發(fā)明一或多個(gè)態(tài)樣的掩模的一個(gè)實(shí)施例；

圖3B是圖3A的掩模沿著劃線3A-3A’的剖面?zhèn)纫晥D；

圖3C是沿著劃線3A-3A’光穿過圖3A的掩模的強(qiáng)度截面的概要圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明的一或多個(gè)態(tài)樣具有不同寬度的相移區(qū)的掩模的剖面?zhèn)纫晥D；

圖5描述掩模的一部分，表示具有其寬度及間距的蝕刻區(qū)；

圖6A根據(jù)本發(fā)明的一或多個(gè)態(tài)樣描述使用掩模完成改良型間距的實(shí)施例；以及

圖6B根據(jù)本發(fā)明的一或多個(gè)態(tài)樣描述使用掩模完成增加蝕刻尺寸的實(shí)施例。

主要組件符號說明

100??光刻系統(tǒng)

102??晶圓

104??室體

106??輻射源

108??聚光透鏡總成

110??掩模或劃分板

112??物透鏡總成

114??工作臺

116??基底

118??層件

120??光阻層

122??透明或半透明基底

124??不透明或圖案化層

200??掩模

202??不透明材料

204??蝕刻區(qū)

206??半透明基底

300??相移掩模

302??不透明材料

304??第一相移區(qū)

306??半透明基底

308??第二相移區(qū)

402??不透明阻障材料

402a?不透明材料

402b?不透明材料

404??第一相移區(qū)

404a?第一相移區(qū)

404b?第一相移區(qū)

408??第二相移區(qū)

408a?第二相移區(qū)

502??掩模

504??蝕刻區(qū)

604a?第一相移區(qū)

604b?第一相移區(qū)