[發明專利]借由蝕刻掩模多側的半導體設備分辨率增強

在審

• 申請號: 201310674054.1
• 申請日: 2013-12-11
• 公開（公告）號: CN103869597A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: G·寧;C·王;P·阿克曼;S·坦格拉朱
• 申請（專利權）人: 格羅方德半導體公司
• 主分類號: G03F1/26
• 分類號: G03F1/26;H01L21/768
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種掩模，包含：

置于該掩模的第一側上的多個第一相移區；以及

置于該掩模的第二側上的多個第二相移區。

2.根據權利要求1所述的掩模，其特征在于，該多個第一相移區的相移與該多個第二相移區的相移有不同的相位。

3.根據權利要求2所述的掩模，其特征在于，該多個第一相移區的相移與該多個第二相移區的相移有大約180度的相位差。

4.根據權利要求1所述的掩模，其特征在于，該多個第一相移區的第一相移區具有零度相移。

5.根據權利要求1所述的掩模，其特征在于，該多個第二相移區的第二相移區具有180度相移。

6.根據權利要求1所述的掩模，其特征在于，該多個第一相移區與該多個第二相移區以越過該掩模的至少一個方向予以對齊，并且依越過該掩模的該至少一個方向以交替方式予以分隔。

7.根據權利要求6所述的掩模，其特征在于，該多個第一相移區及該多個第二相移區以第一方向及垂直于該第一方向的第二方向予以對齊。

8.根據權利要求1所述的掩模，其特征在于，該第一側包含該掩模的前側以及該第二側包含該掩模的背側，以及其中，該多個第一相移區借由蝕刻該掩模的該前側予以形成，以及該多個第二相移區借由蝕刻該掩模的該背側予以形成。

9.根據權利要求1所述的掩模，其特征在于，該多個第二相移區的寬度大于該多個第一相移區的寬度。

10.根據權利要求1所述的掩模，其特征在于，該多個第一相移區的第一相移區以及該多個第二相移區的第二相移區借由沉積于該掩模的該第一側上的不透明材料予以分隔。

11.根據權利要求10所述的掩模，其特征在于，該不透明材料置于半透明基底的第一側上方，以及其中，該多個第二相移區借由蝕刻該半透明基底的第二側予以形成。

12.一種方法，包含：

形成置于掩模的第一側上的多個第一相移區；以及

形成置于該掩模的第二側上的多個第二相移區。

13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，該多個第一相移區的相移與該多個第二相移區的相移有不同的相位。

14.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，形成該多個第一相移區及形成該多個第二相移區包含以越過該掩模的至少一個方向對齊該多個第一相移區與該多個第二相移區，以及以越過該掩模的該至少一個方向依交替方式分隔該多個第一相移區和該多個第二相移區。

15.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，該第一側包含該掩模的前側以及該第二側包含該掩模的背側，以及其中，形成該多個第一相移區包含蝕刻該掩模的該前側，以及形成該多個第二相移區包含蝕刻該掩模的該背側。

16.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，該多個第一相移區的第一相移區及該多個第二相移區的第二相移區借由沉積于該掩模的該第一側上的不透明材料予以分隔。

17.根據權利要求16所述的方法，其特征在于，該方法更包含在半透明基底的第一側上方沉積該不透明材料，以及蝕刻該不透明材料以曝露該半透明基底的該第一側的多個部位，以及其中，形成該多個第二相移區包含蝕刻該半透明基底的第二側。

18.一種半導體裝置制造方法，包含：

在半導體裝置中制造多個通孔，該制造包含：

取得掩模，包含(i)置于該掩模的第一側上的多個第一相移區、和(ii)置于該掩模的第二側上的多個第二相移區；以及

使該掩模承受電磁輻射的曝照，該曝照對于將該多個通孔印制在該半導體裝置的基底上起作用。

19.根據權利要求18所述的半導體裝置制造方法，其特征在于，該掩模的該第一側包含該掩模的前側，以及該掩模的該第二側包含該掩模的背側，以及其中，該多個第一相移區借由蝕刻該掩模的該前側予以形成，以及該多個第二相移區借由蝕刻該掩模的該背側予以形成。

20.根據權利要求18所述的半導體裝置制造方法，其特征在于，該多個第一相移區的第一相移區和該多個第二相移區的第二相移區借由在該掩模的該第一側上沉積的不透明材料予以分隔，以及其中，該多個第二相移區借由蝕刻該半透明基底的第二側予以形成。