[發明專利]一種IGZO靶材的制備方法有效
| 申請號： | 201310669559.9 | 申請日： | 2013-12-11 |
| 公開（公告）號： | CN103819178A | 公開（公告）日： | 2014-05-28 |
| 發明（設計）人： | 何建進;黃誓成;陸映東 | 申請（專利權）人： | 廣西晶聯光電材料有限責任公司 |
| 主分類號： | C04B35/01 | 分類號： | C04B35/01;C04B35/453;C04B35/622 |
| 代理公司： | 柳州市榮久專利商標事務所(普通合伙) 45113 | 代理人： | 韋微 |
| 地址： | 545036 廣西壯族*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 igzo 制備 方法 | ||
1.一種IGZO靶材的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
（1）將Ga2O3納米粉體、ZnO納米粉體與In2O3納米粉體按原子比In：Ga：Zn=1:?1~5:1~5均勻混合得到IGZO粉體，然后添加IGZO粉體質量1%-5%的粘結劑PVA進行造粒；
（2）將IGZO粉體裝入模具中在40～80MPa下壓制成型，將第一次成型的素坯，再用200-300MPa進行二次成型，然后以4-8MPa/?min進行卸壓，至常壓后取出成型好的素坯，
（3）將素坯放在燒結爐中進行燒結，燒結條件是指以不高于1℃/?min的升溫速率升溫，至1300～1550℃保溫燒結4～10小時，之后按降溫速率0.5～1℃/?min降溫至950～1050℃，之后自然降溫；得到IGZO靶材。
2.根據權利要求1所述的一種IGZO靶材的制備方法，其特征在于：所述的第一次成型是在液壓機中壓制成型，第二次成型是在冷等靜壓機中壓制成型。
3.如權利要求1或2所述的一種IGZO靶材的制備方法，其特征在于：所述的燒結是在常壓燒結爐的氧氣氛圍中進行燒結。
4.如權利要求1或2所述的一種IGZO靶材的制備方法，其特征在于：所述的燒結的升溫速率為0.3-1℃/?min。
5.如權利要求1或2所述的一種IGZO靶材的制備方法，其特征在于：所述的Ga2O3納米粉體、ZnO納米粉體和In2O3納米粉體的純度為99.99%以上。
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