[發明專利]一種多晶硅鑄錠時的長晶控制方法

無效

• 申請號: 201310668942.2
• 申請日: 2013-12-11
• 公開（公告）號: CN103696001A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 王土軍;徐聞韜;徐增宏
• 申請（專利權）人: 浙江硅宏電子科技有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B28/06
• 代理公司: 杭州九洲專利事務所有限公司 33101
• 代理人: 陳繼亮

技術領域

本發明涉及一種多晶硅鑄錠時的長晶控制方法。

背景技術

目前，多晶硅鑄錠時的長晶控制方法是：先將平鋪在坩堝底部的硅塊料大部分溶化，余少部分作為長晶用，然后降溫至硅溶點以下，開始長晶，長晶過程分長晶初期、長晶期和收尾期三個階段，其中長晶初期的長晶速度控制在2.4-2.8mm/h，時間在2-2。5h；長晶期的長晶速度控制在1.8-2.2mm/h，時間在20-25h；（5）收尾期長晶速度控制在1.2-1.4mm/h,時間在8-10h，由上看出，三個階段的長晶速度由快至慢。通過這種方法澆鑄出來的多晶硅錠，由于長晶控制不均衡，造成位錯多，易沉積雜質，影響多晶硅的光電轉換效率。

發明內容

本發明的目的是提供能使長晶過程減少位錯的一種多晶硅鑄錠時的長晶控制方法。

本發明采取的技術方案是：一種多晶硅鑄錠時的長晶控制方法，其特征在于它包括下列步驟：A、將平鋪在坩堝底部的硅塊料部分溶化，余部分或少部分作為長晶用，然后降溫至硅溶點以下，開始長晶；B、長晶初期，長晶速度控制在0.4-0.8mm/h，時間持續3-4h；C、長晶過渡期，長晶速度控制在0.8-1.2mm/h，時間持續在4-6h；D、長晶穩定期，長晶速度控制在1.0-1.4mm/h，時間持續20-24h；E、長晶收尾期，長晶速度控制在0.8-1.0mm/h，時間持續6-8h。

采用本發明，由于控制過程增加了長晶過渡期，同時在長晶的四個過程中，長晶速度由慢至快，再由快至慢，使長晶處于相對均衡狀態，因此，能減少長晶中的位錯，減少雜質沉積，有效地提高了光電轉換效率。據實驗數據表明，位錯率較原有工藝減少了20%以上。

具體實施方式

下面結合具體的實施例對本發明作進一步說明。它包括下列步驟：

一、將平鋪在坩堝底部約30mm左右的硅塊料部分溶化，余8-20mm部分作為長晶用，然后降溫至硅溶點以下，開始長晶；

二、長晶初期，長晶速度控制在0.4-0.8mm/h，時間持續3-4h；

三、長晶過渡期，長晶速度控制在0.8-1.2mm/h，時間持續在4-6h；

四、長晶穩定期，長晶速度控制在1.0-1.4mm/h，時間持續20-24h；

長晶收尾期，長晶速度控制在0.8-1.0mm/h，時間持續6-8h。