[發明專利]一種漸變式間距的石墨舟有效
| 申請號: | 201310667675.7 | 申請日: | 2013-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN103614708A | 公開(公告)日: | 2014-03-05 |
| 發明(設計)人: | 胡金艷;韓瑋智;王仕鵬;黃海燕;陸川 | 申請(專利權)人: | 浙江正泰太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458 |
| 代理公司: | 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙) 11370 | 代理人: | 馮譜 |
| 地址: | 310053 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 漸變 間距 石墨 | ||
技術領域
本發明涉及一種太陽能電池片加工技術領域,具體地說涉及一種漸變間距式石墨舟。
背景技術
人們對太陽能電池需求的不斷增長,驅動著太陽能電池制造工藝的不斷進步。為了獲得高品質的太陽能電池,研究人員對其生產過程的各個步驟和使用材料都進行了大力的研發。由于減反膜的優劣對太陽能電池的性能的好壞會產生很大的影響,因此技術人員在不斷地改進減反膜的制備方法以及相關的設備和材料。
在硅太陽能電池的制備工藝過程之中,通常需要采用薄膜沉積工藝進行硅片的鍍膜,例如可采用PECVD(Plasma?Enhanced?Chemical?Vapor?Deposition,等離子增強化學氣相沉積)工藝對硅片進行氮化硅的鍍膜,以便在硅片表面形成減反膜。
在進行硅片表面鍍膜時,首先將未鍍膜的硅片插入石墨舟中,再將載有硅片的石墨舟放置在PECVD真空鍍膜設備腔體中,采用合適的PECVD工藝對硅片進行鍍膜。鍍膜結束后,從真空鍍膜設備腔體中取出石墨舟然后再將經過鍍膜的硅片從石墨舟上取下來。
參考圖1,現有技術中常用的石墨舟設計為相鄰兩個石墨片之間的距離是等間距的(通常為11mm)。使用石墨舟對硅片鍍減反膜時,需要將石墨舟放置于反應腔內。反應腔與石墨舟的外壁距離近,而與石墨舟的中心距離遠,這種距離上的差異會導致石墨舟外壁到石墨舟中心的溫度、氣體流量等的差異。而這些反應條件的差異會直接導致放置于接近石墨舟外壁位置的硅片上鍍的減反膜厚,而置于石墨舟中心位置的硅片鍍的減反膜較薄。減反膜的厚度從石墨舟外壁到中心呈遞減趨勢。減反膜厚度的差異進一步致使同一石墨舟不同位置的硅片外觀顏色不一致,降低了產品的合格率。
發明內容
為了解決現有技術中制備的減反膜外觀顏色不一致,膜厚不均勻以及產品合格率低的問題,本發明提供了一種對硅片進行鍍膜的方法以及該方法中使用的石墨舟。
根據本發明的一個方面,提供一種漸變式間距的石墨舟,所述石墨舟包含有多片平行設置的石墨片;
其特征在于:
從所述石墨舟的中心到所述石墨舟的外側,相鄰兩片石墨片之間的間距依次為D0、D1……Dn-1、Dn;
所述D0、D1……Dn-1、Dn之間的大小關系為:D0>D1>……>Dn-1>Dn;且D0-D1=D1-D2=……=Dn-1-Dn=a(a>0),a為相鄰兩石墨片之間的距離差。
根據本發明的一個具體實施方式,所述a的范圍為1mm~30mm。
根據本發明的另一個方面,提供一種對硅片進行鍍膜的方法,包括步驟:
a)將硅片放置在石墨舟中,并將所述石墨舟置于反應腔內;
b)向所述反應腔內通入反應氣體;
c)通過等離子源激發,在所述硅片表面形成減反膜;
其特征在于,
所述石墨舟采用如權利要求1或2中所述的漸變式間距石墨舟。
根據本發明的一個具體實施方式,所述反應腔內的溫度為250℃~500℃。
根據本發明的另一個具體實施方式,所述反應氣體為硅烷和氨氣。
根據本發明的又一個具體實施方式,所述硅烷的氣體通量范圍為:0~3slm。
根據本發明的又一個具體實施方式,所述氨氣的氣體通量范圍為:0~10slm。
本發明采用的石墨舟中,將石墨片由固定間距改為漸變間距,且間距從石墨舟的最外壁到石墨舟的中心逐漸增大。由于間距的增大,通過的反應氣體的流量會相應增加,從石墨舟外壁到石墨舟中心的反應速率增加,硅片上鍍膜厚度也就逐漸增大,從而彌補了由于傳統石墨舟舟外壁到舟中心鍍膜厚度逐漸減小導致的外觀顏色差異,有效提升了產品的合格率。
附圖說明
通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細描述,本發明的其它特征、目的和優點將會變得更明顯:
圖1所示為傳統工藝中使用的等間距石墨舟的實物圖;
圖2所示為根據本發明提供的一種對硅片進行鍍膜的方法的一種具體實施方式的流程示意圖。
附圖中相同或相似的附圖標記代表相同或相似的部件。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





