[發明專利]一種漸變式間距的石墨舟有效
| 申請號: | 201310667675.7 | 申請日: | 2013-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN103614708A | 公開(公告)日: | 2014-03-05 |
| 發明(設計)人: | 胡金艷;韓瑋智;王仕鵬;黃海燕;陸川 | 申請(專利權)人: | 浙江正泰太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458 |
| 代理公司: | 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙) 11370 | 代理人: | 馮譜 |
| 地址: | 310053 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 漸變 間距 石墨 | ||
1.一種漸變式間距的石墨舟,所述石墨舟包含有多片平行設置的石墨片;
其特征在于:
從所述石墨舟的中心到所述石墨舟的外側,相鄰兩片石墨片之間的間距依次為D0、D1……Dn-1、Dn;
所述D0、D1……Dn-1、Dn之間的大小關系為:D0>D1>……>Dn-1>Dn;且D0-D1=D1-D2=……=Dn-1-Dn=a(a>0),a為相鄰兩石墨片之間的距離差。
2.根據權利要求1所述的石墨舟,其特征在于,所述a的范圍為1mm~30mm。
3.一種對硅片進行鍍膜的方法,包括步驟:
a)將硅片放置在石墨舟中,并將所述石墨舟置于反應腔內;
b)向所述反應腔內通入反應氣體;
c)通過等離子源激發,在所述硅片表面形成減反膜;
其特征在于,
所述石墨舟采用如權利要求1或2中所述的漸變式間距石墨舟。
4.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,所述反應腔內的溫度為250℃~500℃。
5.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,所述反應氣體為硅烷和氨氣。
6.根據權利要求5所述的方法,其特征在于,所述硅烷的氣體通量范圍為:0~3slm。
7.根據權利要求5所述的方法,其特征在于,所述氨氣的氣體通量范圍為:0~10slm。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





