[發(fā)明專(zhuān)利]具有覆蓋結(jié)構(gòu)的MEMS器件結(jié)構(gòu)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310661669.0 | 申請(qǐng)日： | 2013-12-09 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN104045053A | 公開(kāi)（公告）日： | 2014-09-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄭鈞文;朱家驊 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | B81C1/00 | 分類(lèi)號(hào)： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孫征 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 覆蓋 結(jié)構(gòu) mems 器件 | ||
1.一種用于形成集成電路器件的方法，所述方法包括：
在襯底上方形成介電層，所述襯底包括與微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）器件相互作用的電路；
在所述介電層內(nèi)形成的犧牲腔體內(nèi)形成犧牲材料；
在所述介電層和犧牲材料上方形成膜層；
通過(guò)穿過(guò)所述膜層形成的至少一個(gè)通孔去除所述犧牲材料；以及
在所述膜層上形成介電覆蓋結(jié)構(gòu)從而形成第二腔體，所述第二腔體通過(guò)在所述膜層內(nèi)形成的所述至少一個(gè)通孔連接至所述犧牲腔體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述介電覆蓋結(jié)構(gòu)包括將位于覆蓋襯底的表面上的覆蓋介電層接合至所述膜層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述覆蓋襯底上的所述覆蓋介電層熔融接合至所述膜層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括：在所述接合之后，去除所述覆蓋襯底的材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，通過(guò)濕蝕刻工藝和研磨工藝中的一種去除所述覆蓋襯底。
6.一種形成集成電路器件的方法，所述方法包括：
形成包括與微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）器件相互作用的電路的半導(dǎo)體襯底；
在所述半導(dǎo)體襯底上形成底部電極層；
在所述底部電極層上形成介電層；
在所述介電層內(nèi)形成的犧牲腔體內(nèi)形成犧牲材料；
在所述介電層上形成頂部電極層；
在所述頂部電極層上方形成膜層；
通過(guò)穿過(guò)所述膜層形成的至少一個(gè)通孔去除所述犧牲材料；以及
在所述膜層上形成介電覆蓋結(jié)構(gòu)從而形成第二腔體，所述第二腔體通過(guò)在所述膜層內(nèi)形成的所述至少一個(gè)通孔連接至所述犧牲腔體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，形成所述介電覆蓋結(jié)構(gòu)包括：
在臨時(shí)覆蓋襯底上形成覆蓋介電層；
將所述覆蓋介電層接合至所述膜層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括：在所述接合之后，去除覆蓋襯底的材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，通過(guò)濕蝕刻工藝和研磨工藝中的一種去除所述覆蓋襯底。
10.一種集成電路器件，包括：
介電層，設(shè)置在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）襯底上方，所述CMOS襯底具有與MEMS器件相互作用的電路，所述介電層具有形成在其中的犧牲腔體；
頂部電極層，位于所述犧牲腔體的頂部；
底部電極層，位于所述犧牲腔體的底部；
膜層，形成在所述介電層上方，所述膜層具有位于所述犧牲腔體上方的通孔；以及
覆蓋結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置在所述膜層上方的介電材料，其中，第二腔體設(shè)置在所述覆蓋結(jié)構(gòu)和所述膜層之間，所述第二腔體通過(guò)所述膜層內(nèi)的所述通孔連接至所述犧牲腔體。
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