[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310661381.3
• 申請日: 2013-12-06
• 公開（公告）號(hào): CN104701356A
• 公開（公告）日: 2015-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張廣勝;張森
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L21/22
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制備技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法。

背景技術(shù)

在常規(guī)的用于啟動(dòng)電路的半導(dǎo)體器件中，工藝生產(chǎn)過程中基本是運(yùn)用固有的工藝條件來寄生出一定閾值電壓的半導(dǎo)體器件，其閾值電壓為不可調(diào)。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要針對(duì)上述問題，提供一種可變閾值的半導(dǎo)體器件。

還提供一種可變閾值的半導(dǎo)體器件的制備方法。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，包括襯底，襯底上的埋層，埋層上的擴(kuò)散層及擴(kuò)散層上的柵極；所述擴(kuò)散層包括第一擴(kuò)散區(qū)和第二擴(kuò)散區(qū)，所述第二擴(kuò)散區(qū)的雜質(zhì)類型與所述第一擴(kuò)散區(qū)的雜質(zhì)類型相反；在所述第二擴(kuò)散區(qū)內(nèi)還形成有多個(gè)第三擴(kuò)散區(qū)，所述第三擴(kuò)散區(qū)的雜質(zhì)類型與所述第二擴(kuò)散區(qū)的雜質(zhì)類型相反。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第三擴(kuò)散區(qū)為規(guī)則間隔排列。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第三擴(kuò)散區(qū)的邊長小于或等于所述第三擴(kuò)散區(qū)相互之間的間隔寬度。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第三擴(kuò)散區(qū)的雜質(zhì)類型與所述柵極的雜質(zhì)類型相反。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述埋層包括第一埋層區(qū)和第二埋層區(qū)，所述第一埋層區(qū)和所述第二埋層區(qū)的雜質(zhì)類型相反，所述第一埋層區(qū)的雜質(zhì)類型與所述第一擴(kuò)散區(qū)的雜質(zhì)類型相同。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體器件包括常開型器件區(qū)域和常關(guān)型器件區(qū)域，所述常開型器件區(qū)域和常關(guān)型器件區(qū)域各設(shè)有一第一埋層區(qū)，并共享一個(gè)第二埋層區(qū)；所述常開型器件區(qū)域和常關(guān)型器件區(qū)域各設(shè)有一第一擴(kuò)散區(qū)，并共享一個(gè)第二擴(kuò)散區(qū)；所述半導(dǎo)體器件還包括形成于所述第二擴(kuò)散區(qū)內(nèi)、所述常開型器件區(qū)域和常關(guān)型器件區(qū)域交界處的共享漏極引出區(qū)，所述共享漏極引出區(qū)作為常開型器件和常關(guān)型器件共同的漏極引出區(qū)，所述共享漏極引出區(qū)的雜質(zhì)類型與所述第二擴(kuò)散區(qū)的雜質(zhì)類型相同。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述常開型器件區(qū)域的第一擴(kuò)散區(qū)內(nèi)設(shè)有襯底引出區(qū)，所述常開型器件區(qū)域的第二擴(kuò)散區(qū)內(nèi)設(shè)有源極引出區(qū)，所述源極引出區(qū)與所述襯底引出區(qū)的雜質(zhì)類型相反，所述源極引出區(qū)和所述襯底引出區(qū)的間隔大于零。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述常關(guān)型器件區(qū)域的第一擴(kuò)散區(qū)內(nèi)還設(shè)有源極引出區(qū)和襯底引出區(qū)，所述源極引出區(qū)和所述襯底引出區(qū)的間隔為大于或等于零。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體器件為橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件。

一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括步驟：提供襯底，在所述襯底上形成埋層；在所述埋層上形成包含第一擴(kuò)散區(qū)和第二擴(kuò)散區(qū)的擴(kuò)散層，所述第一擴(kuò)散區(qū)的雜質(zhì)類型與所述第二擴(kuò)散區(qū)的雜質(zhì)類型相反；在所述第二擴(kuò)散區(qū)內(nèi)形成多個(gè)第三擴(kuò)散區(qū)，所述第三擴(kuò)散區(qū)的雜質(zhì)類型與所述第二擴(kuò)散區(qū)的雜質(zhì)類型相反；形成半導(dǎo)體器件的柵極、漏極引出區(qū)以及源極引出區(qū)。

上述半導(dǎo)體器件的制備方法，通過在第二擴(kuò)散區(qū)內(nèi)形成雜質(zhì)類型相反的多個(gè)第三擴(kuò)散區(qū)，可以通過調(diào)整第三擴(kuò)散區(qū)的大小從而實(shí)現(xiàn)對(duì)第二擴(kuò)散區(qū)濃度的調(diào)節(jié)及控制，實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體器件的閾值電壓的控制，獲得可變閾值的半導(dǎo)體器件。

附圖說明

圖1為一實(shí)施例中半導(dǎo)體器件的局部剖視圖；

圖2為另一實(shí)施例中半導(dǎo)體器件的局部剖視圖；

圖3為一實(shí)施例中半導(dǎo)體器件的制備方法的流程圖；

圖4為一實(shí)施例中半導(dǎo)體器件的制備方法中形成多個(gè)第三擴(kuò)散區(qū)的示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說明。

圖1為一實(shí)施例中半導(dǎo)體器件100的結(jié)構(gòu)剖視圖。在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件100為橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件100包括襯底110。襯底110為本領(lǐng)域技術(shù)人員習(xí)知的半導(dǎo)體材料。襯底110上設(shè)有埋層120。埋層120包括第一埋層區(qū)122和第二埋層區(qū)124。第一埋層區(qū)122和第二埋層區(qū)124是通過離子注入進(jìn)行摻雜，摻雜雜質(zhì)類型相反。在本實(shí)施例中，通過兩次注入來形成埋層120，可以避免使用過多的推結(jié)來形成埋層120。通過第一埋層區(qū)122和第二埋層區(qū)124共同形成器件的耐高壓區(qū)域，可以提高器件的耐壓性能。在埋層120上形成有擴(kuò)散層130。在本實(shí)施例中，擴(kuò)散層130包括第一擴(kuò)散區(qū)132以及第二擴(kuò)散區(qū)134。其中，第一擴(kuò)散區(qū)132的雜質(zhì)類型與第一埋層區(qū)122的雜質(zhì)類型相同；第一擴(kuò)散區(qū)132的雜質(zhì)類型與第二擴(kuò)散區(qū)134的雜質(zhì)類型相反。