[發明專利]半導體器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201310661381.3
• 申請日: 2013-12-06
• 公開（公告）號: CN104701356A
• 公開（公告）日: 2015-06-10
• 發明（設計）人: 張廣勝;張森
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/22
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種半導體器件，其特征在于，包括襯底，襯底上的埋層，埋層上的擴散層及擴散層上的柵極；所述擴散層包括第一擴散區和第二擴散區，所述第二擴散區的雜質類型與所述第一擴散區的雜質類型相反；在所述第二擴散區內還形成有多個第三擴散區，所述第三擴散區的雜質類型與所述第二擴散區的雜質類型相反。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第三擴散區為規則間隔排列。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述第三擴散區的邊長小于或等于所述第三擴散區相互之間的間隔寬度。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第三擴散區的雜質類型與所述柵極的雜質類型相反。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述埋層包括第一埋層區和第二埋層區，所述第一埋層區和所述第二埋層區的雜質類型相反，所述第一埋層區的雜質類型與所述第一擴散區的雜質類型相同。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括常開型器件區域和常關型器件區域，所述常開型器件區域和常關型器件區域各設有一第一埋層區，并共享一個第二埋層區；所述常開型器件區域和常關型器件區域各設有一第一擴散區，并共享一個第二擴散區；所述半導體器件還包括形成于所述第二擴散區內、所述常開型器件區域和常關型器件區域交界處的共享漏極引出區，所述共享漏極引出區作為常開型器件和常關型器件共同的漏極引出區，所述共享漏極引出區的雜質類型與所述第二擴散區的雜質類型相同。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述常開型器件區域的第一擴散區內設有襯底引出區，所述常開型器件區域的第二擴散區內設有源極引出區，所述源極引出區與所述襯底引出區的雜質類型相反，所述源極引出區和所述襯底引出區的間隔大于零。

8.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述常關型器件區域的第一擴散區內還設有源極引出區和襯底引出區，所述源極引出區和所述襯底引出區的間隔為大于或等于零。

9.根據權利要求1～8任一所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件為橫向擴散金屬氧化物半導體器件。

10.一種半導體器件的制備方法，包括步驟：

提供襯底，在所述襯底上形成埋層；

在所述埋層上形成包含第一擴散區和第二擴散區的擴散層，所述第一擴散區的雜質類型與所述第二擴散區的雜質類型相反；

在所述第二擴散區內形成多個第三擴散區，所述第三擴散區的雜質類型與所述第二擴散區的雜質類型相反；

形成半導體器件的柵極、漏極引出區以及源極引出區。