[發(fā)明專利]二氧化硅復(fù)合顆粒及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310659574.5
• 申請日: 2013-12-09
• 公開（公告）號: CN104212203B
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 濱睦;飯?zhí)锬苁?/a>;奧野廣良
• 申請（專利權(quán)）人: 富士施樂株式會社
• 主分類號: C09C1/28
• 分類號: C09C1/28;C09C3/08;C09C3/12
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11112
• 代理人: 丁業(yè)平,常海濤

1.一種二氧化硅復(fù)合顆粒，其中所述二氧化硅顆粒用具有兩個以上烷氧基的鋁化合物進行表面處理，在所述鋁化合物中所述兩個以上烷氧基經(jīng)氧原子而連接至鋁原子，所述二氧化硅復(fù)合顆粒的鋁表面覆蓋率為0.01原子％至30原子％、平均粒度為30nm至500nm、并且粒度分布指數(shù)為1.1至1.5，并且

其中所述表面處理是通過所述鋁化合物的烷氧基與所述二氧化硅顆粒表面上的硅烷醇基的反應(yīng)來進行的。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二氧化硅復(fù)合顆粒，

其中平均圓度為0.5至0.85。

3.一種二氧化硅復(fù)合顆粒，其中所述二氧化硅顆粒依次用具有兩個以上烷氧基的鋁化合物和疏水劑進行表面處理，其中在所述鋁化合物中所述兩個以上烷氧基經(jīng)氧原子而連接至鋁原子，所述二氧化硅復(fù)合顆粒的鋁表面覆蓋率為0.01原子％至30原子％、平均粒度為30nm至500nm、并且粒度分布指數(shù)為1.1至1.5，并且

其中所述用具有兩個以上烷氧基的鋁化合物的表面處理是通過所述鋁化合物的烷氧基與所述二氧化硅顆粒表面上的硅烷醇基的反應(yīng)來進行的。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的二氧化硅復(fù)合顆粒，

其中平均圓度為0.5至0.85。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的二氧化硅復(fù)合顆粒，

其中所述疏水劑為有機硅化合物。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的二氧化硅復(fù)合顆粒，

其中所述有機硅化合物具有三甲基基團。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的二氧化硅復(fù)合顆粒，

其中所述疏水劑為三甲基甲氧基硅烷或六甲基二硅氮烷。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的二氧化硅復(fù)合顆粒，

其中相對于所述二氧化硅復(fù)合顆粒，所述疏水劑的用量為1重量％至60重量％。

9.一種制造根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的二氧化硅復(fù)合顆粒的方法，包括：

制備堿性催化劑溶液，其在含醇溶劑中含有堿性催化劑；

將四烷氧基硅烷和堿性催化劑供給至所述堿性催化劑溶液以形成二氧化硅顆粒；以及

將鋁化合物與醇的混合溶液供給至其中形成有二氧化硅顆粒的堿性催化劑溶液，從而用鋁化合物對二氧化硅顆粒進行表面處理，其中在所述鋁化合物中有機基團經(jīng)氧原子而連接至鋁原子，所述混合溶液中鋁化合物的濃度為0.05重量％至10重量％。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造二氧化硅復(fù)合顆粒的方法，還包括：

用疏水劑對已經(jīng)用所述鋁化合物進行過表面處理的所述二氧化硅顆粒進行表面處理。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造二氧化硅復(fù)合顆粒的方法，

其中所述的用疏水劑對二氧化硅顆粒進行表面處理是在超臨界二氧化碳中進行的。