[發明專利]包括觸摸板的有機發光二極管顯示設備有效
| 申請號: | 201310655755.0 | 申請日: | 2013-12-06 |
| 公開(公告)號: | CN103872081A | 公開(公告)日: | 2014-06-18 |
| 發明(設計)人: | 崔鳳起;李祥圭 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56;G06F3/041 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 呂俊剛;劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 包括 觸摸 有機 發光二極管 顯示 設備 | ||
1.一種有機發光二極管OLED顯示設備,所述OLED顯示設備包括:
形成在下基板上的OLED陣列;
觸摸板,其附接到所述下基板且包括用于感測觸摸的第一傳感器電極和第二傳感器電極以及布線,所述布線電連接到所述第一傳感器電極和所述第二傳感器電極中的至少一個且暴露于所述觸摸板的上表面;以及
連接線,其通過所述布線的暴露部分電連接所述OLED陣列和所述觸摸板。
2.根據權利要求1所述的OLED顯示設備,其中,所述觸摸板包括具有連接孔的支持基板,所述布線通過所述連接孔暴露。
3.根據權利要求2所述的OLED顯示設備,其中,所述觸摸板還包括:
橋電極,其形成在所述支持基板上;
第一絕緣膜,其形成為覆蓋所述橋電極;
所述第一傳感器電極形成在所述第一絕緣膜上且電連接到所述橋電極的通過選擇性地去除所述第一絕緣膜而暴露的部分,并且所述第二傳感器電極形成在所述第一絕緣膜上以與所述第一傳感器電極交叉;以及
第二絕緣膜,其形成為覆蓋所述第二傳感器電極。
4.根據權利要求1所述的OLED顯示設備,其中,所述連接線連接到形成在所述下基板上且電連接到所述OLED陣列的柔性印刷電路板FPCB。
5.根據權利要求4所述的OLED顯示設備,其中,所述FPCB包括用于向所述OLED陣列提供驅動信號的時序控制器。
6.根據權利要求5所述的OLED顯示設備,其中,所述FPCB電連接到驅動器IC,所述驅動器IC形成在所述下基板上且電連接到所述OLED陣列。
7.根據權利要求1所述的OLED顯示設備,其中,所述連接線包括選自以下金屬中的至少一種金屬:銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)和銅(Cu)。
8.根據權利要求1所述的OLED顯示設備,所述OLED顯示設備還包括鈍化膜,所述鈍化膜附接到所述觸摸板的所述上表面從而覆蓋其中所述連接線和所述布線彼此電連接的區域。
9.根據權利要求1所述的OLED顯示設備,其中,所述布線的所述暴露部分由透明導電材料形成。
10.根據權利要求9所述的OLED顯示設備,其中,所述布線包括由低電阻金屬形成的第一線和由透明導電材料形成的第二線。
11.一種制造有機發光二極管OLED顯示設備的方法,所述方法包括以下步驟:
在下基板上形成OLED陣列;
形成觸摸板,所述觸摸板包括用于感測觸摸的第一傳感器電極和第二傳感器電極以及布線,所述布線電連接到所述第一傳感器電極和所述第二傳感器電極中的至少一個且暴露于所述觸摸板的上表面;以及
將所述觸摸板附接到所述下基板,并且形成連接線以通過所述布線的暴露部分電連接所述OLED陣列和所述觸摸板。
12.根據權利要求11所述的方法,其中,形成觸摸板的所述步驟包括在支持基板上形成連接孔,所述布線通過所述連接孔暴露。
13.根據權利要求12所述的方法,其中,形成觸摸板的所述步驟還包括:
在所述支持基板上形成橋電極;
形成第一絕緣膜以覆蓋所述橋電極;
形成所述第一傳感器電極和所述第二傳感器電極,其中,所述第一傳感器電極形成在所述第一絕緣膜上且電連接到所述橋電極的通過選擇性地去除所述第一絕緣膜而暴露的部分,所述第二傳感器電極形成在所述第一絕緣膜上以與所述第一傳感器電極交叉;以及
形成第二絕緣膜以覆蓋所述第二傳感器電極。
14.根據權利要求11所述的方法,所述方法還包括:將所述連接線連接到在所述下基板上的且電連接到所述OLED陣列的柔性印刷電路板FPCB。
15.根據權利要求14所述的方法,其中,所述FPCB電連接到驅動器IC,所述驅動器IC形成在所述下基板上且電連接到所述OLED陣列。
16.根據權利要求11所述的方法,其中,所述連接線包括選自以下金屬中的至少一種金屬:銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)和銅(Cu)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
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