[發(fā)明專利]引線框架和封裝結(jié)構(gòu)的形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310655302.8
• 申請(qǐng)日: 2013-12-05
• 公開（公告）號(hào): CN103745931B
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陶玉娟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 通富微電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 吳敏

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，特別涉及一種引線框架和封裝結(jié)構(gòu)的形成方法。

背景技術(shù)

隨著電子產(chǎn)品如手機(jī)、筆記本電腦等朝著小型化，便攜式，超薄化，多媒體化以及滿足大眾需求的低成本方向發(fā)展，高密度、高性能、高可靠性和低成本的封裝形式及其組裝技術(shù)得到了快速的發(fā)展。與價(jià)格昂貴的BGA（Ball Grid Array）等封裝形式相比，近年來快速發(fā)展的新型封裝技術(shù)，如四邊扁平無引腳QFN（Quad Flat No-leadPackage）封裝，由于其具有良好的熱性能和電性能、尺寸小、成本低以及高生產(chǎn)率等眾多的優(yōu)點(diǎn)，引發(fā)了微電子封裝技術(shù)領(lǐng)域的一場(chǎng)新的革命。

圖1為現(xiàn)有的QFN封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，所述QFN封裝結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體芯片14，所述半導(dǎo)體芯片14上具有焊盤15；引腳16（引線框架），所述引腳16圍繞所述半導(dǎo)體芯片14的四周排列；金屬導(dǎo)線17，金屬導(dǎo)線17將半導(dǎo)體芯片14的焊盤15與環(huán)繞所述半導(dǎo)體芯片14的引腳16電連接；塑封材料18，所述塑封材料18將半導(dǎo)體芯片15、金屬線17和引腳16密封，引腳16的表面裸露在塑封材料的底面，通過引腳16實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片14與外部電路的電連接。

現(xiàn)有的引線框封裝只能針對(duì)單個(gè)的半導(dǎo)體芯片和引線框架的封裝，封裝效率較低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的問題是提高封裝結(jié)構(gòu)的封裝效率。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種引線框架的形成方法，包括：提供引線框金屬層，所述引線框金屬層包括若干呈矩陣排布的承載區(qū)域和位于相鄰的承載區(qū)域之間的中筋區(qū)域；刻蝕所述引線框金屬層的承載區(qū)域，形成若干分立的引腳，相鄰引腳之間具有第一開口，引腳的一個(gè)側(cè)面與中筋區(qū)域相連；形成填充滿第一開口的第一塑封層；在所述引線框金屬層表面上形成絕緣層，所述絕緣層中具有暴露引腳的表面的第二開口。

可選的，所述引腳的形成過程為：所述引線框金屬層包括第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面；刻蝕引線框金屬層的承載區(qū)域的第一表面，在引線框金屬層內(nèi)形成若干第一子開口；刻蝕引線框金屬層的承載區(qū)域的第二表面，在引線框金屬層內(nèi)形成若干第二子開口，第一子開口和第二子開口相互貫穿，第一子開口和第二子開口構(gòu)成第一開口，相鄰第一開口之間為引腳，所述第一子開口的寬度小于第二子開口的寬度，在所述引腳的遠(yuǎn)離第二子開口的表面上形成絕緣層。

可選的，還包括：以所述絕緣層為掩膜，沿第二開口刻蝕引腳的表面，在引腳內(nèi)形成凹槽。

可選的，在所述凹槽的底部和側(cè)壁表面形成浸潤(rùn)金屬層。

可選的，在所述凹槽和第二開口內(nèi)形成焊料層。

可選的，還包括：在形成絕緣層后，在引線框金屬層的中筋區(qū)域中和中筋區(qū)域上的絕緣層中形成貫穿絕緣層和中筋區(qū)域厚度的若干分立的槽孔。

本發(fā)明提供了一種封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供引線框架，所述引線框架包括第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面，所述引線框架上具有若干呈矩陣排布的承載單元和位于承載單元之間用于固定承載單元的中筋，每個(gè)承載單元具有若干分立的引腳，相鄰引腳之間具有第一開口；形成填充滿第一開口的第一塑封層；在所述引線框架的第一表面上形成絕緣層，所述絕緣層中具有暴露引腳的表面的第二開口；提供若干半導(dǎo)體芯片，每個(gè)半導(dǎo)體芯片上具有若干焊盤，所述焊盤上形成有金屬凸塊；將若干半導(dǎo)體芯片倒裝在引線框架上，使半導(dǎo)體芯片與引線框架中的承載單元對(duì)應(yīng)，將半導(dǎo)體芯片上的金屬凸塊與第二開口暴露的引腳的表面相焊接，形成若干矩陣排布的封裝單元；形成覆蓋所述半導(dǎo)體芯片和絕緣層的第二塑封層；沿封裝單元進(jìn)行切割，形成若干分立的封裝結(jié)構(gòu)。

可選的，所述引線框架的形成過程為：提供引線框金屬層，所述引線框金屬層包括若干呈矩陣排布的承載區(qū)域和位于相鄰的承載區(qū)域之間的中筋區(qū)域；刻蝕所述引線框金屬層的承載區(qū)域，形成若干分立的引腳，相鄰引腳之間具有第一開口，引腳的一個(gè)側(cè)面與中筋區(qū)域相連，另外三個(gè)側(cè)面懸空，每個(gè)承載區(qū)域中形成的若干引腳構(gòu)成引線框架的承載單元，固定引腳的中筋區(qū)域構(gòu)成引線框架的中筋。

可選的，所述第一開口包括相互貫穿的第一子開口和第二子開口，所述第一子開口的寬度小于第二子開口的寬度，在所述引腳的遠(yuǎn)離第二子開口的表面上形成絕緣層。

可選的，還包括：以所述絕緣層為掩膜，沿第二開口刻蝕引腳的表面，在引腳內(nèi)形成凹槽。

可選的，在所述凹槽和第二開口內(nèi)形成焊料層，所述金屬凸塊與焊料層焊接在一起。

可選的，所述焊料層的表面高于、等于或低于絕緣層的表面。