[發(fā)明專利]引線框架和封裝結(jié)構(gòu)的形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310655302.8
• 申請(qǐng)日: 2013-12-05
• 公開（公告）號(hào): CN103745931B
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陶玉娟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 通富微電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 吳敏

1.一種封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供引線框架，所述引線框架包括第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面，所述引線框架上具有若干呈矩陣排布的承載單元和位于承載單元之間用于固定承載單元的中筋，每個(gè)承載單元具有若干分立的引腳，相鄰引腳之間具有第一開口；

形成填充滿第一開口的第一塑封層；

形成第一塑封層后，在所述引線框架的第一表面上形成絕緣層，所述絕緣層中具有暴露引腳的表面的第二開口；

在形成絕緣層后，在所述承載單元之間的部分中筋中以及中筋上的絕緣層中形成若干分立的貫穿中筋和絕緣層厚度的槽孔，在將若干半導(dǎo)體芯片倒裝在引線框架上時(shí)，槽孔使得半導(dǎo)體芯片和引線框架第一表面之間的空間是相通的；

提供若干半導(dǎo)體芯片，每個(gè)半導(dǎo)體芯片上具有若干焊盤，所述焊盤上形成有金屬凸塊；

將若干半導(dǎo)體芯片倒裝在引線框架上，使半導(dǎo)體芯片與引線框架中的承載單元對(duì)應(yīng)，將半導(dǎo)體芯片上的金屬凸塊與第二開口暴露的引腳的表面相焊接，形成若干矩陣排布的封裝單元；

在形成槽孔后和將若干半導(dǎo)體芯片倒裝在引線框架上之后，形成覆蓋所述半導(dǎo)體芯片和絕緣層的第二塑封層，且所述第二塑封層填充槽孔；

沿封裝單元進(jìn)行切割，形成若干分立的封裝結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述引線框架的形成過(guò)程為：提供引線框金屬層，所述引線框金屬層包括若干呈矩陣排布的承載區(qū)域和位于相鄰的承載區(qū)域之間的中筋區(qū)域；刻蝕所述引線框金屬層的承載區(qū)域，形成若干分立的引腳，相鄰引腳之間具有第一開口，引腳的一個(gè)側(cè)面與中筋區(qū)域相連，另外三個(gè)側(cè)面懸空，每個(gè)承載區(qū)域中形成的若干引腳構(gòu)成引線框架的承載單元，固定引腳的中筋區(qū)域構(gòu)成引線框架的中筋。

3.如權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一開口包括相互貫穿的第一子開口和第二子開口，所述第一子開口的寬度小于第二子開口的寬度，在所述引腳的遠(yuǎn)離第二子開口的表面上形成絕緣層。

4.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，還包括：以所述絕緣層為掩膜，沿第二開口刻蝕引腳的表面，在引腳內(nèi)形成凹槽。

5.如權(quán)利要求4所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述凹槽和第二開口內(nèi)形成焊料層，所述金屬凸塊與焊料層焊接在一起。

6.如權(quán)利要求5所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述焊料層的表面高于、等于或低于絕緣層的表面。

7.如權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述焊料層的表面低于絕緣層的表面時(shí)，所述金屬凸塊的尺寸小于第二開口的尺寸，金屬凸塊深入第二開口內(nèi)與焊料層焊接在一起。

8.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在形成第二塑封層之前，還包括：對(duì)每個(gè)半導(dǎo)體芯片的焊盤與絕緣層之間的空間進(jìn)行底填工藝，形成填充層。