[發明專利]靜電防護電路以及具有該靜電防護電路的顯示裝置

有效

• 申請號: 201310653295.8
• 申請日: 2013-12-05
• 公開（公告）號: CN103972228B
• 公開（公告）日: 2018-03-27
• 發明（設計）人: 金容載;鄭寶容;李海衍
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;G09G3/3208;G02F1/1362;H01L23/60;H01L27/12;H01L27/32;H01L29/423
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司11286
• 代理人: 王占杰,韓芳

技術領域

本發明的實施例涉及一種靜電防護電路以及一種包括該靜電防護電路的顯示裝置。

背景技術

通常，與陰極射線管顯示器相比，諸如有機發光二極管（OLED）顯示器的平板顯示裝置具有若干優勢，例如尺寸小、厚度薄且功耗低，并且能夠實現高分辨率且全彩色的圖像。這些優勢已經使得平板顯示裝置被廣泛地應用在各種領域中。目前，OLED顯示裝置已經用于計算機、膝上型電腦、手機、TV、音頻/視頻裝置等等。

根據施加給以矩陣形式排列的多個像素中的每個像素的圖像數據信號，這樣的OLED顯示器通過控制傳輸到有機發光元件的驅動電流的量來顯示圖像。

通常，將玻璃基底用作顯示裝置的基底，但是玻璃基底也作為絕緣體，所以在面板制造工藝過程中產生的靜電電荷收集在玻璃基底上，因此，導致外部顆粒（諸如灰塵）容易附著到玻璃基底，由此導致工藝故障。此外，面板中的元件可能因為靜電而被損壞，因此，期望在平面顯示面板中防止靜電的收集。

傳統地，將屏蔽靜電的線或者電阻器插入到顯示面板的邊緣中。此外，使用二極管的靜電防護電路安裝在提供用于驅動顯示面板的電源電壓的線和提供用于照明測試的信號的線之間。

然而，隨著顯示器的尺寸增加，在制造工藝和模塊組裝過程中靜電荷的出現變得更加頻繁。因此，傳統技術（諸如用于屏蔽靜電的線或者電阻器）不能有效地防止在大尺寸的顯示面板中發生靜電。此外，當安裝靜電防護電路時，由于因靜電而引起的高電位差導致的在靜電防護電路中發生諸如爆炸的事件，所以由于短路而導致的損壞會經常發生。從而，顯示面板的驅動會失效。

因此，耐抗靜電的顯示面板的設計被用于防止顯示面板的驅動故障，并且用于防止由于對靜電防護電路的爆炸損壞引起的對OLED顯示器的顯示面板造成損壞，并且同時有效地防止在大尺寸的顯示面板中發生靜電。

在此背景技術部分中公開的上述信息僅僅是為了增進對本發明的背景技術的理解，并且因此，其可能包含不構成在該國對本領域普通技術人員來說已知的現有技術的信息。

發明內容

本發明的示例實施例可以防止顯示面板中靜電的發生和流入，以防止顯示面板的故障和損壞，并防止由于靜電導致的顯示裝置的制造工藝故障。

此外，可以提供能有效地應用于大尺寸的顯示面板的靜電防護設計電路，以避免由于在顯示裝置中的靜電的流入而導致的驅動失效，因此提供具有優良品質的顯示面板。

根據本發明的一個方面，提供了一種顯示裝置的靜電防護電路，所述靜電防護電路包括：驅動電路，被構造為驅動顯示圖像的顯示單元；至少一條時鐘信號線，被構造為向驅動電路傳輸時鐘信號；至少一個晶體管，電結合到時鐘信號線；以及至少一個電容器，包括結合到晶體管的源電極并結合到晶體管的漏電極的第一電極和被構造為維持電壓的第二電極。

時鐘信號線可以通過柵極金屬線與晶體管的柵電極相結合。

晶體管可以包括：半導體層，包括摻雜有半導體雜質的雜質摻雜區域和未摻雜有任何半導體雜質的本征半導體區域；柵電極層，位于半導體層上；以及柵極絕緣層，在柵電極層和半導體層之間，其中，柵極絕緣層被構造為通過流經時鐘信號線的靜電電流而產生電打開或者電短路。

半導體層的雜質摻雜區域可以包括：第一雜質摻雜區域；以及第二雜質摻雜區域，與第一雜質摻雜區域相對并且電結合到第一雜質摻雜區域的未與柵電極層疊置的部分。

靜電防護電路還可以包括具有電結合到半導體層的雜質摻雜區域的第一電極的電容器，電容器被構造為當柵極絕緣層短路時聚積流入的靜電電流。

根據本發明的另一個方面，提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：顯示單元，包括多個像素并被構造為通過基于與圖像數據信號相對應的數據電壓發射光來顯示圖像；驅動電路，被構造為驅動顯示單元；至少一條時鐘信號線，被構造為將時鐘信號傳輸到驅動電路；以及靜電防護電路，包括：至少一個晶體管，電結合到時鐘信號線；以及至少一個電容器，包括結合到晶體管的源電極和漏電極的第一電極以及被構造為施加有固定電壓的第二電極。

靜電防護電路可以結合在時鐘信號線和驅動電路之間。

時鐘信號線可以通過柵極金屬線結合到靜電防護電路的晶體管的柵電極。

晶體管可以包括：半導體層，包括摻雜有半導體雜質并且電結合到電容器的第一電極的雜質摻雜區域以及未摻雜有任何半導體雜質的本征半導體層；柵電極層，位于半導體層上；以及柵極絕緣層，在柵電極層和半導體層之間。