[發(fā)明專利]靜電防護電路以及具有該靜電防護電路的顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310653295.8
• 申請日: 2013-12-05
• 公開（公告）號: CN103972228B
• 公開（公告）日: 2018-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金容載;鄭寶容;李海衍
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;G09G3/3208;G02F1/1362;H01L23/60;H01L27/12;H01L27/32;H01L29/423
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11286
• 代理人: 王占杰,韓芳

1.一種顯示裝置的靜電防護電路，顯示裝置包括：被構(gòu)造為驅(qū)動顯示圖像的顯示單元的驅(qū)動電路、被構(gòu)造為向驅(qū)動電路傳輸時鐘信號的至少一條時鐘信號線、以及靜電防護電路，其中，所述靜電防護電路包括：

至少一個晶體管，晶體管的柵電極電結(jié)合到時鐘信號線；以及

至少一個電容器，包括結(jié)合到晶體管的源電極和漏電極的第一電極和被構(gòu)造為維持電壓的第二電極。

2.如權(quán)利要求1所述的靜電防護電路，其中，時鐘信號線通過柵極金屬線與晶體管的柵電極相結(jié)合。

3.如權(quán)利要求1所述的靜電防護電路，其中，晶體管包括：

半導體層，包括摻雜有半導體雜質(zhì)的雜質(zhì)摻雜區(qū)域和未摻雜有任何半導體雜質(zhì)的本征半導體區(qū)域；

柵電極層，位于半導體層上；以及

柵極絕緣層，在柵電極層和半導體層之間，

其中，柵極絕緣層被構(gòu)造為通過流經(jīng)時鐘信號線的靜電電流產(chǎn)生電打開或者電短路。

4.如權(quán)利要求3所述的靜電防護電路，其中，半導體層的雜質(zhì)摻雜區(qū)域包括：

第一雜質(zhì)摻雜區(qū)域；以及

第二雜質(zhì)摻雜區(qū)域，與第一雜質(zhì)摻雜區(qū)域相對并且電結(jié)合到第一雜質(zhì)摻雜區(qū)域的未與柵電極層疊置的部分。

5.如權(quán)利要求3所述的靜電防護電路，其中，電容器的第一電極電結(jié)合到半導體層的雜質(zhì)摻雜區(qū)域，電容器被構(gòu)造為當柵極絕緣層短路時聚積流入的靜電電流。

6.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

顯示單元，包括多個像素并被構(gòu)造為通過基于與圖像數(shù)據(jù)信號相對應的數(shù)據(jù)電壓發(fā)射光來顯示圖像；

驅(qū)動電路，被構(gòu)造為驅(qū)動顯示單元；

至少一條時鐘信號線，被構(gòu)造為將時鐘信號傳輸?shù)津?qū)動電路；以及

靜電防護電路，包括：

至少一個晶體管，晶體管的柵電極電結(jié)合到時鐘信號線；以及

至少一個電容器，包括結(jié)合到晶體管的源電極和漏電極的第一電極以及被構(gòu)造為施加有固定電壓的第二電極。

7.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，靜電防護電路結(jié)合在時鐘信號線和驅(qū)動電路之間。

8.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，時鐘信號線通過柵極金屬線結(jié)合到靜電防護電路的晶體管的柵電極。

9.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，晶體管包括：

半導體層，包括摻雜有半導體雜質(zhì)并且電結(jié)合到電容器的第一電極的雜質(zhì)摻雜區(qū)域以及未摻雜有任何半導體雜質(zhì)的本征半導體層；

柵電極層，位于半導體層上；以及

柵極絕緣層，在柵電極層和半導體層之間。

10.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中，半導體的雜質(zhì)摻雜區(qū)域包括：

第一雜質(zhì)摻雜區(qū)域；以及

第二雜質(zhì)摻雜區(qū)域，與第一雜質(zhì)摻雜區(qū)域相對并且電結(jié)合到第一雜質(zhì)摻雜區(qū)域的未與柵電極層疊置的一部分。

11.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中，柵極絕緣層被構(gòu)造為由于靜電電流流經(jīng)至少一條時鐘信號線而引起電打開或者引起電短路。

12.如權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中，電容器的第一電極電結(jié)合到半導體層的雜質(zhì)摻雜區(qū)域，電容器被構(gòu)造為當柵極絕緣層短路時聚積流入的靜電電流。