[發明專利]一種提高甲基膦酸二甲酯熱穩定性的方法有效
| 申請號: | 201310653130.0 | 申請日: | 2013-12-06 |
| 公開(公告)號: | CN103724919A | 公開(公告)日: | 2014-04-16 |
| 發明(設計)人: | 黃年華;劉興喬;王曉廣;柳浩 | 申請(專利權)人: | 武漢紡織大學 |
| 主分類號: | C08L55/02 | 分類號: | C08L55/02;C08L67/00;C08L67/02;C08K9/04;C08K9/02;C08K5/5333;C08K3/34 |
| 代理公司: | 武漢開元知識產權代理有限公司 42104 | 代理人: | 黃行軍 |
| 地址: | 430200 湖北省武漢市江夏*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提高 甲基 二甲 熱穩定性 方法 | ||
1.一種提高甲基膦酸二甲酯熱穩定性的方法,其特征在于它包括如下步驟:
1)納米有機蒙脫土在70~85℃下真空干燥1~3個小時;
2)甲基膦酸二甲酯在120~130℃下干燥1~2個小時;
3)將干燥的甲基膦酸二甲酯加入到上述干燥后的納米有機蒙脫土中,在常溫下低速攪拌至原料混合均勻,然后在100~110℃下存放10~30分鐘,得到初生的甲基膦酸二甲酯插層有機蒙脫土;
4)將上述的初生的甲基膦酸二甲酯有機蒙脫土粉碎、過篩,得到甲基膦酸二甲酯插層有機蒙脫土。
2.根據權利要求1所述的一種提高甲基膦酸二甲酯熱穩定性的方法,其特征在于:所述的納米有機蒙脫土選用十六烷基三甲基溴化銨插層有機蒙脫土、十六烷基三甲基氯化銨插層有機蒙脫土、十二烷基三甲基氯化銨插層有機蒙脫土、雙十八烷基二甲基氯化銨插層有機蒙脫土中的一種。
3.根據權利要求1所述的一種提高甲基膦酸二甲酯熱穩定性的方法,其特征在于:所述的納米有機蒙脫土的含水量小于或等于0.1wt%。
4.根據權利要求1所述的一種提高甲基膦酸二甲酯熱穩定性的方法,其特征在于:所述的干燥的甲基膦酸二甲酯的含水量小于或等于0.1wt%。
5.根據權利要求1所述的一種提高甲基膦酸二甲酯熱穩定性的方法,其特征在于:所述的甲基膦酸二甲酯加入量為納米有機蒙脫土質量的7~9倍。
6.根據權利要求1所述的一種提高甲基膦酸二甲酯熱穩定性的方法,其特征在于:所述的低速攪拌是指攪拌電機的轉速≤300轉/分鐘。
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